Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)

5SGXEA3K3F40C3N

5SGXEA3K3F40C3N

Дел Акција: 49

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 696, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGXMA3E3H29I3N

5SGXMA3E3H29I3N

Дел Акција: 79

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGXMA3H2F35C3N

5SGXMA3H2F35C3N

Дел Акција: 111

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD3H3F35I3L

5SGSMD3H3F35I3L

Дел Акција: 25

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGXMA3E3H29C2LN

5SGXMA3E3H29C2LN

Дел Акција: 73

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD3H2F35C2LN

5SGSMD3H2F35C2LN

Дел Акција: 36

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGXEA3K3F35C3N

5SGXEA3K3F35C3N

Дел Акција: 41

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD3H3F35C2L

5SGSMD3H3F35C2L

Дел Акција: 72

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGXEA3H2F35C3N

5SGXEA3H2F35C3N

Дел Акција: 24

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD3H2F35C2N

5SGSMD3H2F35C2N

Дел Акција: 101

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Да листата
5SGSMD3E2H29I3L

5SGSMD3E2H29I3L

Дел Акција: 38

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD3H2F35I3LN

5SGSMD3H2F35I3LN

Дел Акција: 89

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5AGXFB5K4F40I3

5AGXFB5K4F40I3

Дел Акција: 55

Број на лаборатории / CLB: 19811, Број на логички елементи / ќелии: 420000, Вкупни битови за RAM меморија: 23625728, Број на I / O: 704, Напон - Набавка: 1.12V ~ 1.18V,

Да листата
5SGXMA3E3H29I3LN

5SGXMA3E3H29I3LN

Дел Акција: 96

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGXMA4H3F35C4N

5SGXMA4H3F35C4N

Дел Акција: 104

Број на лаборатории / CLB: 158500, Број на логички елементи / ќелии: 420000, Вкупни битови за RAM меморија: 43983872, Број на I / O: 552, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD3E1H29C2N

5SGSMD3E1H29C2N

Дел Акција: 50

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Да листата
5SGXEA3K3F35I4N

5SGXEA3K3F35I4N

Дел Акција: 29

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD3E2H29C2L

5SGSMD3E2H29C2L

Дел Акција: 61

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD3E1H29C2LN

5SGSMD3E1H29C2LN

Дел Акција: 31

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD3H2F35I3N

5SGSMD3H2F35I3N

Дел Акција: 38

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGXMA3E3H29C2N

5SGXMA3E3H29C2N

Дел Акција: 86

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.87V ~ 0.93V,

Да листата
5AGZME3H3F35C4N

5AGZME3H3F35C4N

Дел Акција: 53

Број на лаборатории / CLB: 16980, Број на логички елементи / ќелии: 360000, Вкупни битови за RAM меморија: 23946240, Број на I / O: 414, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5AGXFB7H4F35C4N

5AGXFB7H4F35C4N

Дел Акција: 92

Број на лаборатории / CLB: 23780, Број на логички елементи / ќелии: 504000, Вкупни битови за RAM меморија: 27695104, Број на I / O: 544, Напон - Набавка: 1.07V ~ 1.13V,

Да листата
5SGSMD4H3F35C4N

5SGSMD4H3F35C4N

Дел Акција: 74

Број на лаборатории / CLB: 135840, Број на логички елементи / ќелии: 360000, Вкупни битови за RAM меморија: 23946240, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5AGXFB7H4F35I5N

5AGXFB7H4F35I5N

Дел Акција: 98

Број на лаборатории / CLB: 23780, Број на логички елементи / ќелии: 504000, Вкупни битови за RAM меморија: 27695104, Број на I / O: 544, Напон - Набавка: 1.07V ~ 1.13V,

Да листата
5SGXMA3K3F35C3N

5SGXMA3K3F35C3N

Дел Акција: 79

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5AGXMB7G4F40I5N

5AGXMB7G4F40I5N

Дел Акција: 112

Број на лаборатории / CLB: 23780, Број на логички елементи / ќелии: 504000, Вкупни битови за RAM меморија: 27695104, Број на I / O: 704, Напон - Набавка: 1.07V ~ 1.13V,

Да листата
5AGXMB7G4F40C4N

5AGXMB7G4F40C4N

Дел Акција: 117

Број на лаборатории / CLB: 23780, Број на логички елементи / ќелии: 504000, Вкупни битови за RAM меморија: 27695104, Број на I / O: 704, Напон - Набавка: 1.07V ~ 1.13V,

Да листата
5SGXMA3K3F35I4N

5SGXMA3K3F35I4N

Дел Акција: 94

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD3E2H29I3LN

5SGSMD3E2H29I3LN

Дел Акција: 94

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGXMA3E2H29C3N

5SGXMA3E2H29C3N

Дел Акција: 89

Број на лаборатории / CLB: 128300, Број на логички елементи / ќелии: 340000, Вкупни битови за RAM меморија: 23704576, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5AGXFB5H4F35I3G

5AGXFB5H4F35I3G

Дел Акција: 124

Број на лаборатории / CLB: 19811, Број на логички елементи / ќелии: 420000, Вкупни битови за RAM меморија: 23625728, Број на I / O: 544, Напон - Набавка: 1.12V ~ 1.18V,

Да листата
5SGSMD3H3F35I3N

5SGSMD3H3F35I3N

Дел Акција: 110

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5AGXFB5K4F40I3N

5AGXFB5K4F40I3N

Дел Акција: 123

Број на лаборатории / CLB: 19811, Број на логички елементи / ќелии: 420000, Вкупни битови за RAM меморија: 23625728, Број на I / O: 704, Напон - Набавка: 1.12V ~ 1.18V,

Да листата
5SGSMD3H3F35I3LN

5SGSMD3H3F35I3LN

Дел Акција: 37

Број на лаборатории / CLB: 89000, Број на логички елементи / ќелии: 236000, Вкупни битови за RAM меморија: 16937984, Број на I / O: 432, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата
5SGSMD4E3H29C4N

5SGSMD4E3H29C4N

Дел Акција: 111

Број на лаборатории / CLB: 135840, Број на логички елементи / ќелии: 360000, Вкупни битови за RAM меморија: 23946240, Број на I / O: 360, Напон - Набавка: 0.82V ~ 0.88V,

Да листата