Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 100

APA1000-BGG456

Дел Акција: 103

Вкупни битови за RAM меморија: 202752, Број на I / O: 356, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Да листата

Microsemi Corporation

APA1000-FGG896

Дел Акција: 103

Вкупни битови за RAM меморија: 202752, Број на I / O: 642, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Да листата

Microsemi Corporation

APA1000-PQG208

Дел Акција: 65

Вкупни битови за RAM меморија: 202752, Број на I / O: 158, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Да листата

Microsemi Corporation

APA1000-FG896

Дел Акција: 136

Вкупни битови за RAM меморија: 202752, Број на I / O: 642, Број на Гејтс: 1000000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX500-1FG676M

Дел Акција: 89

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 336, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX500-1FGG676M

Дел Акција: 52

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 336, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

A42MX36-PQG208M

Дел Акција: 138

Вкупни битови за RAM меморија: 2560, Број на I / O: 176, Број на Гејтс: 54000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Да листата

Microsemi Corporation

APA300-CQ208M

Дел Акција: 126

Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 158, Број на Гејтс: 300000, Напон - Набавка: 2.3V ~ 2.7V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX500-1FGG484M

Дел Акција: 94

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 317, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX500-1FG484M

Дел Акција: 119

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 317, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX2000-2FGG896I

Дел Акција: 57

Број на лаборатории / CLB: 32256, Вкупни битови за RAM меморија: 294912, Број на I / O: 586, Број на Гејтс: 2000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX2000-2FG896I

Дел Акција: 69

Број на лаборатории / CLB: 32256, Вкупни битови за RAM меморија: 294912, Број на I / O: 586, Број на Гејтс: 2000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

A42MX09-PG132M

Дел Акција: 82

Број на I / O: 95, Број на Гејтс: 14000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Да листата

Microsemi Corporation

A42MX16-CQ172

Дел Акција: 8663

Број на I / O: 131, Број на Гејтс: 24000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Да листата

Microsemi Corporation

A3PE3000L-1FGG896M

Дел Акција: 98

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 620, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX500-FG676M

Дел Акција: 85

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 336, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX500-FGG676M

Дел Акција: 114

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 336, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX500-1PQG208M

Дел Акција: 95

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 115, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

A54SX32-1PQG208M

Дел Акција: 129

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 174, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Да листата

Microsemi Corporation

A3PE3000L-FGG896M

Дел Акција: 126

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 620, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX2000-1FGG896I

Дел Акција: 94

Број на лаборатории / CLB: 32256, Вкупни битови за RAM меморија: 294912, Број на I / O: 586, Број на Гејтс: 2000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX500-FG484M

Дел Акција: 88

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 317, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX2000-1FG896I

Дел Акција: 113

Број на лаборатории / CLB: 32256, Вкупни битови за RAM меморија: 294912, Број на I / O: 586, Број на Гејтс: 2000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

A3PE3000L-1FG484M

Дел Акција: 138

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 341, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX500-FGG484M

Дел Акција: 100

Број на лаборатории / CLB: 8064, Вкупни битови за RAM меморија: 73728, Број на I / O: 317, Број на Гејтс: 500000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

A3PE3000L-1FGG484M

Дел Акција: 109

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 341, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

A54SX32A-1BG329M

Дел Акција: 119

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 249, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Да листата

Microsemi Corporation

A54SX32A-1BGG329M

Дел Акција: 149

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 249, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 2.25V ~ 5.25V,

Да листата

Microsemi Corporation

A54SX32-1TQG144M

Дел Акција: 66

Број на лаборатории / CLB: 2880, Број на I / O: 113, Број на Гејтс: 48000, Напон - Набавка: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX2000-2FG896

Дел Акција: 75

Број на лаборатории / CLB: 32256, Вкупни битови за RAM меморија: 294912, Број на I / O: 586, Број на Гејтс: 2000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX2000-2FGG896

Дел Акција: 137

Број на лаборатории / CLB: 32256, Вкупни битови за RAM меморија: 294912, Број на I / O: 586, Број на Гејтс: 2000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

A3PE3000L-FGG484M

Дел Акција: 109

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 341, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

A3PE3000L-FG484M

Дел Акција: 90

Вкупни битови за RAM меморија: 516096, Број на I / O: 341, Број на Гејтс: 3000000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX250-1FG484M

Дел Акција: 159

Број на лаборатории / CLB: 4224, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 248, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

AX250-1FGG484M

Дел Акција: 130

Број на лаборатории / CLB: 4224, Вкупни битови за RAM меморија: 55296, Број на I / O: 248, Број на Гејтс: 250000, Напон - Набавка: 1.425V ~ 1.575V,

Да листата

Microsemi Corporation

APA750-FG896A

Дел Акција: 89

Вкупни битови за RAM меморија: 147456, Број на I / O: 562, Број на Гејтс: 750000, Напон - Набавка: 2.375V ~ 2.625V,

Да листата