Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

ADC124EUQ-7
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-7

Дел Акција: 102169

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Да листата
ACX114YUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-13R

Дел Акција: 122236

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

Да листата
ADC124EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC124EUQ-13

Дел Акција: 174294

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Да листата
ADA114EUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-7

Дел Акција: 198421

Тип на транзистор: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

Да листата
ACX124EUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-7R

Дел Акција: 171910

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Да листата
ADA114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-7

Дел Акција: 112948

Тип на транзистор: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Да листата
ADC114YUQ-7
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-7

Дел Акција: 176159

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Да листата
ACX114YUQ-7R
Diodes Incorporated

ACX114YUQ-7R

Дел Акција: 162673

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, 47 kOhms,

Да листата
ADA114EUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114EUQ-13

Дел Акција: 149878

Тип на транзистор: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, 10 kOhms,

Да листата
ADA114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADA114YUQ-13

Дел Акција: 147362

Тип на транзистор: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Да листата
ADC144EUQ-13
Diodes Incorporated

ADC144EUQ-13

Дел Акција: 21546

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Да листата
ACX124EUQ-13R
Diodes Incorporated

ACX124EUQ-13R

Дел Акција: 121902

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, 22 kOhms,

Да листата
ADC114YUQ-13
Diodes Incorporated

ADC114YUQ-13

Дел Акција: 121085

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, 47 kOhms,

Да листата
BCR35PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

Дел Акција: 152076

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR 48PN H6727
Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

Дел Акција: 1466

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 70mA, 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR 141S H6727
Infineon Technologies

BCR 141S H6727

Дел Акција: 1531

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR35PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

Дел Акција: 1529

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR 22PN H6727
Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

Дел Акција: 1468

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR 148S H6827
Infineon Technologies

BCR 148S H6827

Дел Акција: 1537

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR 133S H6444
Infineon Technologies

BCR 133S H6444

Дел Акција: 1441

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR 141S E6727
Infineon Technologies

BCR 141S E6727

Дел Акција: 1506

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR 116S H6727
Infineon Technologies

BCR 116S H6727

Дел Акција: 3210

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR 116S E6727
Infineon Technologies

BCR 116S E6727

Дел Акција: 1473

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR108SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

Дел Акција: 1470

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR08PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

Дел Акција: 1495

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR48PNE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

Дел Акција: 1457

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 70mA, 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR48PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

Дел Акција: 3149

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 70mA, 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR35PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

Дел Акција: 1427

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR22PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

Дел Акција: 1454

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR198SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

Дел Акција: 1473

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR22PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

Дел Акција: 1505

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR185SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

Дел Акција: 1465

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR183SE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

Дел Акција: 1484

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR185SB6327XT
Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

Дел Акција: 1459

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR183SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

Дел Акција: 1440

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Да листата
BCR169SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

Дел Акција: 1509

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Да листата