Optical Sensors - Reflective - Analog Output

OPB708

OPB708

Дел Акција: 33527

Растојание за чувство: 0.150" (3.81mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - DC напред (ако) (максимум): 40mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
OPB755N

OPB755N

Дел Акција: 2717

Растојание за чувство: 0.220" (5.59mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 24V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
OPB740

OPB740

Дел Акција: 37779

Растојание за чувство: 0.150" (3.81mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - DC напред (ако) (максимум): 40mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
OPB750T

OPB750T

Дел Акција: 17828

Растојание за чувство: 0.220" (5.59mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 24V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
OPB741WZ

OPB741WZ

Дел Акција: 19773

Растојание за чувство: 0.150" (3.81mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - DC напред (ако) (максимум): 40mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
OPB755TAZ

OPB755TAZ

Дел Акција: 16927

Растојание за чувство: 0.220" (5.59mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 24V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
OPB608V

OPB608V

Дел Акција: 7738

Растојание за чувство: 0.050" (1.27mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 25mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 12mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
OPB710F

OPB710F

Дел Акција: 9140

Растојание за чувство: 0.250" (6.35mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 25mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
OPB702R

OPB702R

Дел Акција: 29649

Растојание за чувство: 0.150" (3.81mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Transistor, Base-Emitter Resistor,

Да листата
OPB742W

OPB742W

Дел Акција: 2735

Растојание за чувство: 0.150" (3.81mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - DC напред (ако) (максимум): 40mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
OPB706C

OPB706C

Дел Акција: 43602

Растојание за чувство: 0.050" (1.27mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 24V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 25mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
CNB13020S0LF

CNB13020S0LF

Дел Акција: 2748

Растојание за чувство: 0.039" (1mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
RPR-220PC30N

RPR-220PC30N

Дел Акција: 11549

Растојание за чувство: 0.236" (6mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 30mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
Z4D-F04A

Z4D-F04A

Дел Акција: 151

Да листата
EE-SY124

EE-SY124

Дел Акција: 2709

Растојание за чувство: 0.039" (1mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
EE-SY1200

EE-SY1200

Дел Акција: 48893

Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
EE-SY201

EE-SY201

Дел Акција: 2779

Растојание за чувство: 0.157" (4mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 24V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 15mA, Тип на излез: Photodarlington,

Да листата
QRD1113

QRD1113

Дел Акција: 38545

Растојание за чувство: 0.050" (1.27mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
QRC1113

QRC1113

Дел Акција: 2734

Растојание за чувство: 0.150" (3.81mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
QRB1133

QRB1133

Дел Акција: 2798

Растојание за чувство: 0.150" (3.81mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
QRB1134

QRB1134

Дел Акција: 2734

Растојание за чувство: 0.150" (3.81mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
EAITRDA7

EAITRDA7

Дел Акција: 191169

Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
ITR8307/TR8

ITR8307/TR8

Дел Акција: 157364

Растојание за чувство: 0.039" (1mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
ITR8307

ITR8307

Дел Акција: 182031

Растојание за чувство: 0.039" (1mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
HOA2498-002

HOA2498-002

Дел Акција: 6173

Растојание за чувство: 0.250" (6.35mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
HOA1397-031

HOA1397-031

Дел Акција: 2711

Растојание за чувство: 0.05" (1.27mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 20mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
HOA1405-001

HOA1405-001

Дел Акција: 11061

Растојание за чувство: 0.2" (5.08mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
SFH 9202-Z

SFH 9202-Z

Дел Акција: 4343

Растојание за чувство: 0.197" (5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 10mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
SFH 9206

SFH 9206

Дел Акција: 173263

Растојание за чувство: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 16V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 10mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
SFH 7072

SFH 7072

Дел Акција: 50007

Метод на осетување: Reflective, Тип на излез: Photodiode,

Да листата
GP2A230LRSAF

GP2A230LRSAF

Дел Акција: 2719

Растојание за чувство: 0.039" ~ 0.354" (1mm ~ 9mm) ADJ, Метод на осетување: Reflective, Тип на излез: Photodiode,

Да листата
GP2S60

GP2S60

Дел Акција: 184335

Растојание за чувство: 0.028" (0.7mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 35V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
GP2S27TJ000F

GP2S27TJ000F

Дел Акција: 2724

Растојание за чувство: 0.028" (0.7mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 35V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
GP2S24CJ000F

GP2S24CJ000F

Дел Акција: 2724

Растојание за чувство: 0.028" (0.7mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 35V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата
TCND5000

TCND5000

Дел Акција: 63285

Растојание за чувство: 0.079" ~ 0.984" (2mm ~ 25mm) ADJ, Метод на осетување: Reflective, Струја - DC напред (ако) (максимум): 100mA, Тип на излез: PIN Photodiode,

Да листата
VCNT2020

VCNT2020

Дел Акција: 114

Растојание за чувство: 0.02" (0.5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 100mA, Тип на излез: Phototransistor,

Да листата