Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 15.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 512,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 2.5V, 3.3V, Број на макроцели: 1536, Број на Гејтс: 144000,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.5V ~ 5.5V, Број на макроцели: 128,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 15.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 2.5V, 3.3V, Број на макроцели: 768, Број на Гејтс: 72000,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 3V ~ 3.6V, Број на макроцели: 128,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 2.5V, 3.3V, Број на макроцели: 768, Број на Гејтс: 72000,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 15.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.5V ~ 5.5V, Број на макроцели: 256,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 12.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 3V ~ 3.6V, Број на макроцели: 64,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 7.2ns, Напојување на напон - внатрешно: 2.5V, 3.3V, Број на макроцели: 512, Број на Гејтс: 48000,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 12.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 128,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 32,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 12.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 128,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 128,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 12.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 3V ~ 3.6V, Број на макроцели: 256,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 64,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.5V ~ 5.5V, Број на макроцели: 256,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 6.5ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 128,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 8.5ns, Напојување на напон - внатрешно: 3V ~ 3.6V, Број на макроцели: 64,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 6.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 64,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 2.5V, 3.3V, Број на макроцели: 1536, Број на Гејтс: 144000,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 15.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 2.5V, 3.3V, Број на макроцели: 512, Број на Гејтс: 48000,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 64,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 7.5ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.5V ~ 5.5V, Број на макроцели: 32,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 15.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.5V ~ 5.5V, Број на макроцели: 512,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 64,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 12.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 3V ~ 3.6V, Број на макроцели: 256,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 128,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.5V ~ 5.5V, Број на макроцели: 128,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.5V ~ 5.5V, Број на макроцели: 64,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 15.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 3V ~ 3.6V, Број на макроцели: 128,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 8.5ns, Напојување на напон - внатрешно: 2.5V, 3.3V, Број на макроцели: 3072, Број на Гејтс: 288000,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 12.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 3V ~ 3.6V, Број на макроцели: 32,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 512,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 12.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 3V ~ 3.6V, Број на макроцели: 256,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 64,
Програмабилен тип: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Време на одложување tpd (1) Макс: 10.0ns, Напојување на напон - внатрешно: 4.75V ~ 5.25V, Број на макроцели: 64,
