Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Diodes Incorporated

DMT10H015LCG-7

Дел Акција: 176205

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), 34A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMP2066LDMQ-7

Дел Акција: 129269

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN1004UFDF-13

Дел Акција: 219

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN3025LFG-7

Дел Акција: 167612

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMG7401SFG-13

Дел Акција: 150340

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 20V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMP2021UFDE-7

Дел Акција: 124820

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7A, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN3025LFG-13

Дел Акција: 156426

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.8A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN4010LFG-13

Дел Акција: 132236

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMT2004UFDF-13

Дел Акција: 165749

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 24V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMP3018SFK-13

Дел Акција: 154411

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMP3036SFG-13

Дел Акција: 123244

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN6013LFG-7

Дел Акција: 134023

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), 45A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMPH4015SK3-13

Дел Акција: 164006

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMG7401SFG-7

Дел Акција: 191904

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 20V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMP2010UFG-13

Дел Акција: 118346

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12.7A (Ta), 42A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMP2023UFDF-13

Дел Акција: 102828

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMP6050SFG-7

Дел Акција: 181209

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

DMP25H18DLFDE-7

Diodes Incorporated

DMP25H18DLFDE-7

Дел Акција: 118923

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMPH3010LK3-13

Дел Акција: 191392

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN4020LFDE-13

Дел Акција: 124437

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN3008SFGQ-7

Дел Акција: 181227

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 17.6A (Ta), 62A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 13.5A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMP3035SFG-7

Дел Акција: 141579

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN2028UFDF-13

Дел Акција: 157372

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMG4N65CTI

Дел Акција: 74019

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN6040SVTQ-13

Дел Акција: 136899

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 4.3A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMTH3002LPS-13

Дел Акција: 135924

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

DMTH6010LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6010LPSQ-13

Дел Акција: 116038

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMTH4005SPS-13

Дел Акција: 158546

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20.9A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMG2301L-13

Дел Акција: 148665

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN2026UVT-13

Дел Акција: 134578

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

Листа на желби.

DMN10H170SVTQ-13

Diodes Incorporated

DMN10H170SVTQ-13

Дел Акција: 134895

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

DMTH6005LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6005LPSQ-13

Дел Акција: 104297

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20.6A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMN67D7L-13

Дел Акција: 289

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 210mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

DMG2302UK-13

Дел Акција: 105644

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Листа на желби.

DMTH6004LPSQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6004LPSQ-13

Дел Акција: 89420

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

DMT10H015LPS-13

Diodes Incorporated

DMT10H015LPS-13

Дел Акција: 156954

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.3A (Ta), 44A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

1420

«
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
»