Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 40

ZVN0545GTC

Дел Акција: 6034

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 450V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 140mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVNL120GTC

Дел Акција: 9865

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN4210GTC

Дел Акција: 9792

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 800mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVP4105ASTOA

Дел Акција: 9897

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 175mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVP1320FTC

Дел Акција: 9890

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZXM64P02XTC

Дел Акција: 9847

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTOA

Дел Акција: 9886

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTOA

Дел Акција: 9873

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 240V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVP0545ASTOB

Дел Акција: 9872

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 450V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN0124Z

Дел Акција: 9869

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 240V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZXM61P02FTC

Дел Акција: 9856

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 900mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 610mA, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZXM62N03GTA

Дел Акција: 198171

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), 4.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.2A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN4310ASTZ

Дел Акција: 9869

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 900mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVP4424ASTOB

Дел Акција: 9798

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 240V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZXMN3A01E6TC

Дел Акција: 9848

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZXMN3A03E6TC

Дел Акција: 9886

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7.8A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTOB

Дел Акција: 9876

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZXM61P03FTC

Дел Акција: 6070

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN4306ASTZ

Дел Акција: 9824

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZXMP10A17GTA

Дел Акција: 9879

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1.4A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZXMN3B04N8TC

Дел Акција: 9898

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN3320ASTZ

Дел Акција: 9864

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZXMN6A07FTC

Дел Акција: 9807

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN0540ASTZ

Дел Акција: 9778

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN3320FTC

Дел Акција: 9845

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVNL120ASTOB

Дел Акција: 9808

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN4106FTC

Дел Акција: 9807

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN1409ASTZ

Дел Акција: 9868

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 90V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN2120ASTOA

Дел Акција: 6009

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZXMNS3BM832TA

Дел Акција: 9863

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN4306GTC

Дел Акција: 6072

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTOA

Дел Акција: 9803

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 240V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTOB

Дел Акција: 9875

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN1409ASTOB

Дел Акција: 9853

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 90V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVN4210ASTOB

Дел Акција: 9809

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Diodes Incorporated

ZVNL110GTC

Дел Акција: 9813

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.