Тип на јадро: I, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): I 32 x 3 x 20,
Тип на јадро: E, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): E 55 x 28 x 21,
Тип на јадро: P (Pot Core), Фактор на индуктивност (Ал): 800nH, Толеранција: -30%, +40%, Јаз: N30, Ефективна пропустливост (µe): 4.65mm, Почетна пропустливост (μi): P 4.6 x 4.1,
Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 5.4µH, Толеранција: ±30%, Јаз: T65, Ефективна пропустливост (µe): 32.10mm,
Тип на јадро: ETD, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): ETD 54 x 28 x 19,
Тип на јадро: ETD, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): ETD 44 x 22 x 15,
Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 3.3µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N49, Почетна пропустливост (μi): PQ 26 x 25,
Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 5.4µH, Толеранција: ±25%, Јаз: N30, Ефективна пропустливост (µe): 60.10mm,
Тип на јадро: ELP, Јаз: N49, Почетна пропустливост (μi): ELP 64 x 10 x50,
Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 250nH, Толеранција: ±3%, Јаз: N48, Почетна пропустливост (μi): RM 5,
Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 630nH, Толеранција: ±3%, Јаз: N48, Почетна пропустливост (μi): RM 10,
Тип на јадро: RM, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): RM 10,
Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 400nH, Толеранција: ±5%, Јаз: N41, Почетна пропустливост (μi): RM 12,
Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 160nH, Толеранција: ±3%, Јаз: N41, Почетна пропустливост (μi): RM 12,
Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 5.2µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): RM 10 LP,
Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 4.1µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): RM 8 LP,
Тип на јадро: RM, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): RM 12,
Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 6.25µH, Толеранција: ±30%, Јаз: T65, Ефективна пропустливост (µe): 60.10mm,
Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 7.6µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N95, Почетна пропустливост (μi): PQ 32 x 20,
Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 3.87µH, Толеранција: ±25%, Јаз: N87, Ефективна пропустливост (µe): 39.40mm,
Тип на јадро: E, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): E 70 x 33 x 32,
Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 8.7µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N30, Почетна пропустливост (μi): RM 12,
Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 8.2µH, Толеранција: ±25%, Јаз: T35, Ефективна пропустливост (µe): 41.80mm,
Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 4.6µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N49, Почетна пропустливост (μi): PQ 32 x 20,
Тип на јадро: E, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): E 32 x 16 x 9,
Тип на јадро: I, Јаз: N49, Почетна пропустливост (μi): I 64 x 5 x 50,
Тип на јадро: ETD, Јаз: N27, Почетна пропустливост (μi): ETD 49 x 25 x 16,
Тип на јадро: E, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): E 55 x 28 x 25,
Тип на јадро: I, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): I 43 x 4 x 28,
Тип на јадро: I, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): I 58 x 4 x 38,
Тип на јадро: ETD, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): ETD 49 x 25 x 16,
Тип на јадро: ETD, Јаз: N27, Почетна пропустливост (μi): ETD 34 x 17 x 11,
Тип на јадро: ELP, Јаз: N97, Почетна пропустливост (μi): ELP 32 x 6 x 20,
Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 17.4µH, Толеранција: ±30%, Јаз: T38, Ефективна пропустливост (µe): 51.80mm,
