Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 1

HTNFET-D

Дел Акција: 199

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Honeywell Aerospace

HTNFET-T

Дел Акција: 199

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

Дел Акција: 211

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

Дел Акција: 199

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Листа на желби.