Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

  • Дома
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
BCR35PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNH6327XTSA1

Дел Акција: 152076

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR 48PN H6727
Infineon Technologies

BCR 48PN H6727

Дел Акција: 1466

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 70mA, 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR 141S H6727
Infineon Technologies

BCR 141S H6727

Дел Акција: 1531

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR35PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6327BTSA1

Дел Акција: 1529

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR 22PN H6727
Infineon Technologies

BCR 22PN H6727

Дел Акција: 1468

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR 148S H6827
Infineon Technologies

BCR 148S H6827

Дел Акција: 1537

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR 133S H6444
Infineon Technologies

BCR 133S H6444

Дел Акција: 1441

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR 141S E6727
Infineon Technologies

BCR 141S E6727

Дел Акција: 1506

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR 116S H6727
Infineon Technologies

BCR 116S H6727

Дел Акција: 3210

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR 116S E6727
Infineon Technologies

BCR 116S E6727

Дел Акција: 1473

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR108SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR108SH6433XTMA1

Дел Акција: 1470

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR08PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNE6327BTSA1

Дел Акција: 1495

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR48PNE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6433BTMA1

Дел Акција: 1457

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 70mA, 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR48PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNE6327BTSA1

Дел Акција: 3149

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 70mA, 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR35PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR35PNE6433HTMA1

Дел Акција: 1427

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR22PNE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6433HTMA1

Дел Акција: 1454

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR198SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR198SE6327BTSA1

Дел Акција: 1473

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR22PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR22PNE6327BTSA1

Дел Акција: 1505

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR185SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR185SE6327BTSA1

Дел Акција: 1465

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR183SE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR183SE6433BTMA1

Дел Акција: 1484

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR185SB6327XT
Infineon Technologies

BCR185SB6327XT

Дел Акција: 1459

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR183SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR183SE6327BTSA1

Дел Акција: 1440

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR169SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR169SE6327BTSA1

Дел Акција: 1509

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR148SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR148SE6327BTSA1

Дел Акција: 1486

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR148SE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR148SE6433HTMA1

Дел Акција: 1436

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR141SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR141SE6327BTSA1

Дел Акција: 1483

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR135SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR135SE6327BTSA1

Дел Акција: 1438

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR133SE6433BTMA1
Infineon Technologies

BCR133SE6433BTMA1

Дел Акција: 1430

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR133SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR133SE6327BTSA1

Дел Акција: 1432

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR133SB6327XT
Infineon Technologies

BCR133SB6327XT

Дел Акција: 1446

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR129SE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR129SE6327HTSA1

Дел Акција: 1436

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR119SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR119SE6327BTSA1

Дел Акција: 1514

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR119SE6433HTMA1
Infineon Technologies

BCR119SE6433HTMA1

Дел Акција: 1484

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR10PNE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR10PNE6327BTSA1

Дел Акција: 3226

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR116SE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR116SE6327BTSA1

Дел Акција: 1508

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.
BCR10PNB6327XT
Infineon Technologies

BCR10PNB6327XT

Дел Акција: 1434

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.