Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

IXTA3N120

Дел Акција: 10527

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

IXFH170N25X3

Дел Акција: 4739

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 85A, 10V,

Листа на желби.

IXTT4N150HV

Дел Акција: 2545

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXFX210N30X3

Дел Акција: 445

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 210A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 105A, 10V,

Листа на желби.

IXTQ450P2

Дел Акција: 17521

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

IXFX150N30P3

Дел Акција: 4296

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 150A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

IXTA110N055T2

Дел Акција: 28571

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 110A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

IXFP14N60P

Дел Акција: 18672

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.

IXTH04N300P3HV

Дел Акција: 3658

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 3000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 400mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 200mA, 10V,

Листа на желби.

IXTP110N12T2

Дел Акција: 15930

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 120V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 110A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 55A, 10V,

Листа на желби.

IXFN73N30

Дел Акција: 3289

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 73A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXTH24P20

Дел Акција: 7827

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXFP26N30X3

Дел Акција: 654

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 26A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 13A, 10V,

Листа на желби.

IXFH30N85X

Дел Акција: 6829

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 850V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXTH50P10

Дел Акција: 8511

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

IXTA60N10T

Дел Акција: 34752

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

IXFL132N50P3

Дел Акција: 3140

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 63A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 66A, 10V,

Листа на желби.

IXFH22N50P

Дел Акција: 13297

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 11A, 10V,

Листа на желби.

IXTA460P2

Дел Акција: 17280

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

IXFQ120N25X3

Дел Акција: 827

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 60A, 10V,

Листа на желби.

IXFX32N80Q3

Дел Акција: 2985

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 16A, 10V,

Листа на желби.

IXTT20P50P

Дел Акција: 6431

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

IXTF1N450

Дел Акција: 1530

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 4500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 900mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 Ohm @ 50mA, 10V,

Листа на желби.

IXTF02N450

Дел Акција: 2065

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 4500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 Ohm @ 10mA, 10V,

Листа на желби.

IXFQ30N60X

Дел Акција: 11320

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

IXFX300N20X3

Дел Акција: 913

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 300A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 150A, 10V,

Листа на желби.

IXFN210N30X3

Дел Акција: 603

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 210A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 105A, 10V,

Листа на желби.

IXTN660N04T4

Дел Акција: 3511

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 660A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.

IXFH21N50

Дел Акција: 7270

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10.5A, 10V,

Листа на желби.

IXTQ44P15T

Дел Акција: 11841

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 44A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXFK150N30P3

Дел Акција: 4226

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 150A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

IXFN210N30P3

Дел Акција: 2006

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 192A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 105A, 10V,

Листа на желби.

IXFN100N50P

Дел Акција: 2452

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 90A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.

IXFK240N25X3

Дел Акција: 924

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 240A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 120A, 10V,

Листа на желби.

IXTX102N65X2

Дел Акција: 4923

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 102A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 51A, 10V,

Листа на желби.

IXFH150N25X3

Дел Акција: 590

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 150A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.

2148

«
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
»