Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 60

IXFP4N60P3

Дел Акција: 39897

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTT2N300P3HV

Дел Акција: 1898

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 3000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTP44P15T

Дел Акција: 16677

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 44A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFK90N60X

Дел Акција: 5647

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 90A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 45A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTH500N04T2

Дел Акција: 7084

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTJ6N150

Дел Акција: 7119

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85 Ohm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTA32P05T

Дел Акција: 37469

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFX200N10P

Дел Акција: 6966

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 100A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTP62N15P

Дел Акција: 24682

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 62A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 31A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTQ150N15P

Дел Акција: 8887

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 150A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTY8N65X2

Дел Акција: 29820

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFH14N60P3

Дел Акција: 23575

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFQ14N80P

Дел Акција: 15497

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFA80N25X3

Дел Акција: 10071

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTP24N65X2M

Дел Акција: 232

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFT44N50Q3

Дел Акција: 4819

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 44A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 22A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTT10N100D

Дел Акција: 5795

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFH6N120

Дел Акција: 8933

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFT50N60P3

Дел Акција: 9502

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTQ82N25P

Дел Акција: 12911

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 82A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 41A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFH69N30P

Дел Акција: 9374

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 69A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFA18N60X

Дел Акција: 12826

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFR44N60

Дел Акција: 3765

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 38A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFP5N100P

Дел Акција: 21039

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFA7N80P

Дел Акција: 28328

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44 Ohm @ 3.5A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTP05N100P

Дел Акција: 48970

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 250mA, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTY1R4N100P

Дел Акција: 34038

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFR44N50P

Дел Акција: 6732

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTP14N60P

Дел Акција: 24452

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTH32N65X

Дел Акција: 13411

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 16A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTH52N65X

Дел Акција: 9391

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 52A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 26A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXTH2N150L

Дел Акција: 7329

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 1A, 20V,

Листа на желби.

IXYS

IXTT16N50D2

Дел Акција: 8242

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8A, 0V,

Листа на желби.

IXYS

IXTY1N80

Дел Акција: 26877

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 750mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFB300N10P

Дел Акција: 3182

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 300A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.

IXYS

IXFK150N30X3

Дел Акција: 202

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 150A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.