Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 1

CPC3902ZTR

Дел Акција: 131537

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3902CTR

Дел Акција: 108608

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909ZTR

Дел Акција: 173406

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701CTR

Дел Акција: 110408

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3960ZTR

Дел Акција: 127604

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710CTR

Дел Акција: 180680

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909CTR

Дел Акција: 173441

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710C

Дел Акција: 1443

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3982TTR

Дел Акција: 126520

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3720C

Дел Акција: 1407

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 350V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3714C

Дел Акција: 1380

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 350V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3980ZTR

Дел Акција: 198190

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701C

Дел Акција: 1385

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3730C

Дел Акција: 6160

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 350V, Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5603CTR

Дел Акција: 67206

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 415V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703C

Дел Акција: 335

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703CTR

Дел Акција: 103573

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5602CTR

Дел Акција: 127786

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 350V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708ZTR

Дел Акција: 107138

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 350V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Листа на желби.

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708CTR

Дел Акција: 185051

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 350V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Листа на желби.