Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 1

SS275TI12205

Дел Акција: 747

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

IXYS-RF

SS150TC60110

Дел Акција: 709

Конфигурација на диода: 3 Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

IXYS-RF

SS150TA60110

Дел Акција: 733

Конфигурација на диода: 3 Common Anode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

IXYS-RF

SS275TA12205

Дел Акција: 711

Конфигурација на диода: 3 Common Anode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

IXYS-RF

SS275TC12205

Дел Акција: 751

Конфигурација на диода: 3 Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.

IXYS-RF

SS150TI60110

Дел Акција: 671

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 5A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Листа на желби.