Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) | Integrated Circuits (ICs) | 99

LFE2M70E-7FN1152C

Дел Акција: 311

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4642816, Број на I / O: 436, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN1152C

Дел Акција: 198

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 520, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-6FN900I

Дел Акција: 310

Број на лаборатории / CLB: 6250, Број на логички елементи / ќелии: 25000, Вкупни битови за RAM меморија: 1966080, Број на I / O: 378, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-6LFN1156I

Дел Акција: 306

Број на лаборатории / CLB: 18625, Број на логички елементи / ќелии: 149000, Вкупни битови за RAM меморија: 7014400, Број на I / O: 586, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN1152C

Дел Акција: 219

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 520, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-6FN1152I

Дел Акција: 242

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4642816, Број на I / O: 436, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-6FN900C

Дел Акција: 340

Број на лаборатории / CLB: 6250, Број на логички елементи / ќелии: 25000, Вкупни битови за RAM меморија: 1966080, Број на I / O: 378, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-5FN900I

Дел Акција: 301

Број на лаборатории / CLB: 6250, Број на логички елементи / ќелии: 25000, Вкупни битови за RAM меморија: 1966080, Број на I / O: 378, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-7FN900C

Дел Акција: 281

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4642816, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-6FN1152I

Дел Акција: 298

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4642816, Број на I / O: 436, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN900I

Дел Акција: 201

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN900C

Дел Акција: 230

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN1152I

Дел Акција: 165

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 520, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-6FN900I

Дел Акција: 262

Број на лаборатории / CLB: 6250, Број на логички елементи / ќелии: 25000, Вкупни битови за RAM меморија: 1966080, Број на I / O: 378, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-7FN900C

Дел Акција: 300

Број на лаборатории / CLB: 6250, Број на логички елементи / ќелии: 25000, Вкупни битови за RAM меморија: 1966080, Број на I / O: 378, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-7FN900C

Дел Акција: 266

Број на лаборатории / CLB: 6250, Број на логички елементи / ќелии: 25000, Вкупни битови за RAM меморија: 1966080, Број на I / O: 378, Напон - Набавка: 0.95V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN900C

Дел Акција: 230

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN1152I

Дел Акција: 186

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 520, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-7FN1152C

Дел Акција: 278

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4642816, Број на I / O: 436, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-7FN900C

Дел Акција: 226

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN1152C

Дел Акција: 196

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 520, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-6FN900I

Дел Акција: 265

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4642816, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN1152I

Дел Акција: 219

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 520, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-6FN900I

Дел Акција: 356

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4642816, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8LFN1156I

Дел Акција: 282

Број на лаборатории / CLB: 18625, Број на логички елементи / ќелии: 149000, Вкупни битови за RAM меморија: 7014400, Број на I / O: 586, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN900C

Дел Акција: 249

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN900I

Дел Акција: 191

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN900I

Дел Акција: 274

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN1152I

Дел Акција: 153

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 520, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN1152C

Дел Акција: 205

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 520, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-7FN900C

Дел Акција: 242

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-7LFN1156I

Дел Акција: 236

Број на лаборатории / CLB: 18625, Број на логички елементи / ќелии: 149000, Вкупни битови за RAM меморија: 7014400, Број на I / O: 586, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-7FN900C

Дел Акција: 311

Број на лаборатории / CLB: 8375, Број на логички елементи / ќелии: 67000, Вкупни битови за RAM меморија: 4642816, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8LFN1156C

Дел Акција: 364

Број на лаборатории / CLB: 18625, Број на логички елементи / ќелии: 149000, Вкупни битови за RAM меморија: 7014400, Број на I / O: 586, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN900I

Дел Акција: 172

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 416, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.

Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-7FN1152C

Дел Акција: 136

Број на лаборатории / CLB: 11875, Број на логички елементи / ќелии: 95000, Вкупни битови за RAM меморија: 5435392, Број на I / O: 520, Напон - Набавка: 1.14V ~ 1.26V,

Листа на желби.