Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 6

2N6661

Дел Акција: 6316

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 90V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

2N7008-G

Дел Акција: 138197

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

2N6660

Дел Акција: 6315

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 410mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

2N7002-G

Дел Акција: 134471

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 115mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

2N7000-G

Дел Акција: 187823

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

VP0550N3-G-P013

Дел Акција: 53675

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 54mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TN2540N3-G-P002

Дел Акција: 74193

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 175mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

MCP87030T-U/MF

Дел Акција: 103880

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

MCP87050T-U/MF

Дел Акција: 146526

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

VN0300L-G-P002

Дел Акција: 81152

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 640mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

VN1206L-G-P002

Дел Акција: 58212

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 120V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TN0620N3-G-P002

Дел Акција: 71231

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 250mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TN2130K1-G

Дел Акција: 145339

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 85mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 4.5V,

Листа на желби.

Microchip Technology

VN0104N3-G-P013

Дел Акција: 139578

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TN2640LG-G

Дел Акција: 51374

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 260mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

VP2206N3-G-P003

Дел Акција: 46577

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 640mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TP2502N8-G

Дел Акција: 77492

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 630mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TP2435N8-G

Дел Акција: 67130

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 350V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 231mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

MCP87022T-U/MF

Дел Акција: 69227

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TN0610N3-G-P013

Дел Акција: 89494

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

LND150N3-G-P013

Дел Акција: 183588

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Листа на желби.

Microchip Technology

DN1509N8-G

Дел Акција: 131170

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 90V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 360mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TN0106N3-G-P003

Дел Акција: 112566

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TN0604N3-G-P013

Дел Акција: 87261

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 700mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

MCP87090T-U/LC

Дел Акција: 199305

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 48A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

DN2535N3-G-P013

Дел Акција: 124551

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 350V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Листа на желби.

Microchip Technology

LND150N3-G-P014

Дел Акција: 183620

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TN0610N3-G-P003

Дел Акција: 89433

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TP2424N8-G

Дел Акција: 69759

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 240V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 316mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

MCP87090T-U/MF

Дел Акција: 183616

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 64A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TN0104N3-G-P014

Дел Акција: 96882

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TP2520N8-G

Дел Акција: 72715

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 260mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

VN10KN3-G-P014

Дел Акција: 174398

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 310mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

VN2460N3-G-P003

Дел Акција: 77538

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

TN2425N8-G

Дел Акција: 77566

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 480mA (Tj), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Microchip Technology

MIC94051YM4-TR

Дел Акција: 191644

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 6V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Листа на желби.