Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

Дома
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

Nexperia USA Inc.

PDTA114YQAZ

Дел Акција: 119778

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA144WM,315

Дел Акција: 130610

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA114YM,315

Дел Акција: 166222

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA123TMB,315

Дел Акција: 175719

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA113EMB,315

Дел Акција: 142811

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 1 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC123YM,315

Дел Акција: 132880

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTB143XQAZ

Дел Акција: 160378

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTB123EQAZ

Дел Акција: 182246

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA123JQAZ

Дел Акција: 146620

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC143ZM,315

Дел Акција: 152042

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA144EM,315

Дел Акција: 193086

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC123EMB,315

Дел Акција: 163318

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTD114EQAZ

Дел Акција: 189828

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA143XQAZ

Дел Акција: 109011

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTB114EQAZ

Дел Акција: 123069

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA143ZM,315

Дел Акција: 119654

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC114YQAZ

Дел Акција: 100962

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC144VMB,315

Дел Акција: 124898

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA114EM,315

Дел Акција: 190834

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC143TMB,315

Дел Акција: 120761

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA115EMB,315

Дел Акција: 155778

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 100 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 100 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA124XMB,315

Дел Акција: 171934

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA144VM,315

Дел Акција: 120475

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA144TMB,315

Дел Акција: 141191

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA124EM,315

Дел Акција: 159243

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA144EQAZ

Дел Акција: 189508

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA143TM,315

Дел Акција: 163442

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC123YMB,315

Дел Акција: 197399

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC123TMB,315

Дел Акција: 169349

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC144EQAZ

Дел Акција: 174674

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC143EMB,315

Дел Акција: 135464

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA144WMB,315

Дел Акција: 122308

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTC124TM,315

Дел Акција: 157560

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA123EMB,315

Дел Акција: 199181

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTB113EQAZ

Дел Акција: 158208

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 1 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PDTA143TMB,315

Дел Акција: 141527

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

290

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
»