Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | Discrete Semiconductor Products | 7

PUMB20,115

Дел Акција: 103619

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PQMH11Z

Дел Акција: 153896

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PBLS2024D,115

Дел Акција: 134800

Тип на транзистор: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, 1.8A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, 20V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMH30,115

Дел Акција: 187014

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PBLS2022D,115

Дел Акција: 154208

Тип на транзистор: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, 1.8A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, 20V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMD9,135

Дел Акција: 141605

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMD2,125

Дел Акција: 161403

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMH30,315

Дел Акција: 142391

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMD12,135

Дел Акција: 192589

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMD3,165

Дел Акција: 154947

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMB4,115

Дел Акција: 164327

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMD48,165

Дел Акција: 173177

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMD6,135

Дел Акција: 188048

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMD6,115

Дел Акција: 131920

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PQMH13Z

Дел Акција: 176610

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMB17,115

Дел Акција: 188634

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMB30,115

Дел Акција: 138435

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMH30,115

Дел Акција: 190451

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PQMD12Z

Дел Акција: 192753

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMB4,115

Дел Акција: 117423

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMD14,115

Дел Акција: 113653

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMB2,115

Дел Акција: 121198

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMH10,115

Дел Акција: 139980

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMB15,115

Дел Акција: 105891

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMB17,115

Дел Акција: 142913

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMH9,315

Дел Акција: 108025

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMB9,315

Дел Акција: 192096

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMH10Z

Дел Акција: 112

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMD20,115

Дел Акција: 176742

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMD24,115

Дел Акција: 194314

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 100 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 100 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMB16,115

Дел Акција: 128392

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMH1,115

Дел Акција: 195613

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PEMB1,115

Дел Акција: 118852

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMH19,115

Дел Акција: 122298

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMB14,115

Дел Акција: 197885

Тип на транзистор: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PUMD10,125

Дел Акција: 119729

Тип на транзистор: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.