Diodes - Rectifiers - Single | Discrete Semiconductor Products | 13

PMEG3002EJ,115

Дел Акција: 104956

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 480mV @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 5ns,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG4010EP,115

Дел Акција: 137733

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG2005AEL,315

Дел Акција: 161822

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 440mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG4002AESFYL

Дел Акција: 122155

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 525mV @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 1.25ns,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG3030BEP,115

Дел Акција: 116030

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG4020ETP,115

Дел Акција: 175863

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG2020EH,115

Дел Акција: 126421

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 525mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG3010EH,115

Дел Акција: 139918

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 560mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG4010EJ,115

Дел Акција: 121080

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 640mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG3010CEH,115

Дел Акција: 178642

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 520mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG60T10ELRX

Дел Акција: 25839

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 13ns,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG4020EP,115

Дел Акција: 188546

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG1020EA,115

Дел Акција: 188205

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 10V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 460mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG1020EH,115

Дел Акција: 145672

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 10V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 460mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG3005ET,215

Дел Акција: 193627

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 430mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG60T20ELPX

Дел Акција: 32266

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 14ns,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG2005AEA,115

Дел Акција: 199492

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 390mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG4005EGWX

Дел Акција: 115494

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 470mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG4002EB,115

Дел Акција: 126810

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG2010BEA,115

Дел Акција: 134536

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG2005EB,115

Дел Акција: 113289

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 480mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG3020EJ,115

Дел Акција: 109719

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG6020AELPX

Дел Акција: 140659

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 670mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 9ns,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG6020EPASX

Дел Акција: 109999

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 575mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 5.5ns,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG3010EB,115

Дел Акција: 118138

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 680mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG050V150EPDZ

Дел Акција: 155003

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Тековна - Просечна исправена (Io): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 20ns,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG2010AEB,115

Дел Акција: 113343

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG2015EJ,115

Дел Акција: 120552

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG6030ETPX

Дел Акција: 169216

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 530mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 12ns,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

RB520CS30L,315

Дел Акција: 117306

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 10mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG4005EJ,115

Дел Акција: 117848

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 470mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG3002AEB,115

Дел Акција: 147592

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 480mV @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG45U10EPDZ

Дел Акција: 102328

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 34ns,

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG3005EB,115

Дел Акција: 164063

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMEG3020ER,115

Дел Акција: 154894

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 420mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Nexperia USA Inc.

PMBD914,215

Дел Акција: 184039

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 215mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.