Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

BUK7540-100A,127

BUK7540-100A,127

Дел Акција: 2493

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 37A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.

BUK7528-55,127

Дел Акција: 2449

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

BUK7514-55A,127

BUK7514-55A,127

Дел Акција: 2519

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 73A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK7511-55A,127

BUK7511-55A,127

Дел Акција: 2514

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK7505-30A,127

BUK7505-30A,127

Дел Акција: 2450

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BSP304A,126

Дел Акција: 2480

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 Ohm @ 170mA, 10V,

Листа на желби.

BST72A,112

Дел Акција: 2477

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

Листа на желби.

BSN304,126

Дел Акција: 2446

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 250mA, 10V,

Листа на желби.

BSP254A,126

Дел Акција: 2510

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

Листа на желби.

BSN254,126

Дел Акција: 2444

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

Листа на желби.

BSN254A,126

Дел Акција: 6317

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 300mA, 10V,

Листа на желби.

BS108,126

Дел Акција: 2512

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 2.8V,

Листа на желби.

BS108/01,126

Дел Акција: 2506

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 2.8V,

Листа на желби.

BUK98150-55,135

BUK98150-55,135

Дел Акција: 1923

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 5V,

Листа на желби.

BSS84AKT,115

Дел Акција: 1762

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.

BUK7575-55,127

Дел Акција: 6209

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

BUK962R1-40E,118

BUK962R1-40E,118

Дел Акција: 1534

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK961R7-40E,118

BUK961R7-40E,118

Дел Акција: 1549

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK761R4-30E,118

BUK761R4-30E,118

Дел Акција: 1502

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK961R5-30E,118

BUK961R5-30E,118

Дел Акција: 1498

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK9609-55A,118

BUK9609-55A,118

Дел Акција: 1451

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK78150-55A,115

BUK78150-55A,115

Дел Акција: 1504

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

BUK7609-55A,118

BUK7609-55A,118

Дел Акција: 1521

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK961R4-30E,118

BUK961R4-30E,118

Дел Акција: 1432

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 5V,

Листа на желби.

BUK761R3-30E,118

BUK761R3-30E,118

Дел Акција: 1413

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK9875-100A,115

BUK9875-100A,115

Дел Акција: 1199

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.

BUK761R8-30C,118

BUK761R8-30C,118

Дел Акција: 978

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK7619-100B,118

BUK7619-100B,118

Дел Акција: 6106

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 64A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK7C2R2-60EJ

Дел Акција: 9577

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V,

Листа на желби.

BUK752R7-60E,127

BUK752R7-60E,127

Дел Акција: 9577

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK754R7-60E,127

BUK754R7-60E,127

Дел Акција: 9617

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK953R2-40E,127

BUK953R2-40E,127

Дел Акција: 9614

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK7514-60E,127

BUK7514-60E,127

Дел Акција: 9650

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 58A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.

BUK76150-55A,118

BUK76150-55A,118

Дел Акција: 9592

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

BUK7615-100A,118

BUK7615-100A,118

Дел Акција: 9575

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

BUK7608-55,118

Дел Акција: 9575

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

468

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»