Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

Дома
Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

PDTC123JS,126

Дел Акција: 1964

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA114EEAF

Дел Акција: 1972

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

PDTC114TS,126

Дел Акција: 1989

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

PDTC144TK,115

Дел Акција: 1921

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

PBRN113EK,115

Дел Акција: 3228

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 1 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 300mA, 5V,

Листа на желби.

PDTC143XK,115

Дел Акција: 1987

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

PDTC123YE,115

Дел Акција: 1947

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA143ZK,115

Дел Акција: 1977

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA124XS,126

Дел Акција: 1962

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

PBRP113ZS,126

Дел Акција: 1947

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms,

Листа на желби.

PBRN123ES,126

Дел Акција: 2087

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 280 @ 300mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA114ES,126

Дел Акција: 1924

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA124XK,115

Дел Акција: 1925

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 22 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA144TS,126

Дел Акција: 1964

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

PDTD123ES,126

Дел Акција: 1977

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA123EK,115

Дел Акција: 1923

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA114TS,126

Дел Акција: 1975

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

PDTC123TE,115

Дел Акција: 2001

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

PDTC144EK,115

Дел Акција: 1961

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

PDTB113ZK,115

Дел Акција: 1964

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA144EK,135

Дел Акција: 1983

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA113EK,115

Дел Акција: 1943

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 1 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V,

Листа на желби.

PDTC114YS,126

Дел Акција: 1940

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

PDTD113ES,126

Дел Акција: 1987

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 1 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

PDTB113EK,115

Дел Акција: 2014

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 1 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 1 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

PDTC144TS,126

Дел Акција: 3219

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA144WK,115

Дел Акција: 1979

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 47 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 22 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA123JK,115

Дел Акција: 1953

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 2.2 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 47 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

PDTA114TK,115

Дел Акција: 1923

Тип на транзистор: PNP - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 10 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

PDTC143ES,126

Дел Акција: 1953

Тип на транзистор: NPN - Pre-Biased, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Отпорник - база (R1): 4.7 kOhms, Отпорник - база на емитер (R2): 4.7 kOhms, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

174

«
1
2
3
4
5
»