Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Optical Sensors - Reflective - Analog Output

  • Дома
  •  
  • Optical Sensors - Reflective - Analog Output
EE-SY193
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY193

Дел Акција: 93365

Растојание за чувство: 0.039" (1mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 18V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 25mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SF5-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SF5-B

Дел Акција: 8947

Растојание за чувство: 0.197" (5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY191
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY191

Дел Акција: 2757

Растојание за чувство: 0.178" (4.5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY169A
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY169A

Дел Акција: 5463

Растојание за чувство: 0.157" (4mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY124
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY124

Дел Акција: 2709

Растојание за чувство: 0.039" (1mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY1200
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY1200

Дел Акција: 48893

Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY201
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY201

Дел Акција: 2779

Растојание за чувство: 0.157" (4mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 24V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 15mA, Тип на излез: Photodarlington,

Листа на желби.
EE-SY113
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY113

Дел Акција: 12359

Растојание за чувство: 0.173" (4.4mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY125
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY125

Дел Акција: 2778

Растојание за чувство: 0.039" (1mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY171
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY171

Дел Акција: 18679

Растојание за чувство: 0.138" (3.5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY169
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY169

Дел Акција: 3710

Растојание за чувство: 0.157" (4mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 40mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY199
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY199

Дел Акција: 22122

Растојание за чувство: 0.039" (1mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 35V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY190
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY190

Дел Акција: 4272

Растојание за чувство: 0.178" (4.5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SB5
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SB5

Дел Акција: 8233

Растојание за чувство: 0.197" (5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
Z4D-A01
Omron Electronics Inc-EMC Div

Z4D-A01

Дел Акција: 4329

Растојание за чувство: 0.256" (6.5mm), Метод на осетување: Reflective,

Листа на желби.
EE-SB5-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SB5-B

Дел Акција: 10268

Растојание за чувство: 0.197" (5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SY110
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SY110

Дел Акција: 15782

Растојание за чувство: 0.197" (5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.
EE-SF5
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SF5

Дел Акција: 2766

Растојание за чувство: 0.197" (5mm), Метод на осетување: Reflective, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 20mA, Струја - DC напред (ако) (максимум): 50mA, Тип на излез: Phototransistor,

Листа на желби.