Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NP15P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP15P06SLG-E1-AY

Дел Акција: 1126

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 7.5A, 10V,

Листа на желби.
NP74N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP74N04YUG-E1-AY

Дел Акција: 1233

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Листа на желби.
NP75P04YLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP75P04YLG-E1-AY

Дел Акција: 1153

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7 mOhm @ 37.5A, 10V,

Листа на желби.
NP80N055MHE-S18-AY
Renesas Electronics America

NP80N055MHE-S18-AY

Дел Акција: 1152

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.
NP80N055NDG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP80N055NDG-S18-AY

Дел Акција: 1173

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.
NP100P06PLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP100P06PLG-E1-AY

Дел Акција: 1204

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
NP36P04KDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP36P04KDG-E1-AY

Дел Акција: 1151

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 36A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.
NP160N04TDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP160N04TDG-E1-AY

Дел Акција: 1181

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
RJK0353DPA-01#J0B
Renesas Electronics America

RJK0353DPA-01#J0B

Дел Акција: 164042

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 17.5A, 10V,

Листа на желби.
RJK0851DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0851DPB-00#J5

Дел Акција: 125161

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.
NP160N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP160N055TUJ-E1-AY

Дел Акција: 1194

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
NP80N055KLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP80N055KLE-E1-AY

Дел Акција: 1211

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.
NP160N04TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP160N04TUJ-E1-AY

Дел Акција: 6194

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 160A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
NP60N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP60N04MUG-S18-AY

Дел Акција: 1119

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
NP180N04TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP180N04TUJ-E1-AY

Дел Акција: 1197

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 180A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 90A, 10V,

Листа на желби.
NP60N03SUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP60N03SUG-E1-AY

Дел Акција: 1234

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
NP88N075KUE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP88N075KUE-E1-AY

Дел Акција: 1209

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 88A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 44A, 10V,

Листа на желби.
NP36P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP36P04SDG-E1-AY

Дел Акција: 1154

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 36A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.
RJK6024DPD-00#J2
Renesas Electronics America

RJK6024DPD-00#J2

Дел Акција: 1206

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 Ohm @ 200mA, 10V,

Листа на желби.
NP34N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP34N055SLE-E1-AY

Дел Акција: 1144

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 34A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 17A, 10V,

Листа на желби.
NP180N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP180N055TUJ-E1-AY

Дел Акција: 6170

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 180A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

Листа на желби.
RJK0451DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0451DPB-00#J5

Дел Акција: 125147

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 17.5A, 10V,

Листа на желби.
NP88N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP88N04NUG-S18-AY

Дел Акција: 1135

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 88A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 44A, 10V,

Листа на желби.
NP50P04KDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP50P04KDG-E1-AY

Дел Акција: 1131

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.
NP82N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP82N04NUG-S18-AY

Дел Акција: 1158

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 82A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 41A, 10V,

Листа на желби.
NP35N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP35N04YUG-E1-AY

Дел Акција: 1203

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 17.5A, 10V,

Листа на желби.
NP55N03SUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP55N03SUG-E1-AY

Дел Акција: 1169

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 55A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 28A, 10V,

Листа на желби.
NP80N06MLG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP80N06MLG-S18-AY

Дел Акција: 6116

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.
NP32N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP32N055SLE-E1-AY

Дел Акција: 1182

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 16A, 10V,

Листа на желби.
NP36P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP36P06SLG-E1-AY

Дел Акција: 1185

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 36A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.
NP82N04PDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP82N04PDG-E1-AY

Дел Акција: 1131

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 82A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 41A, 10V,

Листа на желби.
NP100P04PLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP100P04PLG-E1-AY

Дел Акција: 1193

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
NP100P04PDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP100P04PDG-E1-AY

Дел Акција: 24318

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
NP22N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP22N055SLE-E1-AY

Дел Акција: 1154

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 11A, 10V,

Листа на желби.
NP80N06PLG-E1B-AY
Renesas Electronics America

NP80N06PLG-E1B-AY

Дел Акција: 1172

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.
NP50P03YDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP50P03YDG-E1-AY

Дел Акција: 1191

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.