Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 3

BA12004BF-E2

Дел Акција: 184029

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

IMX25T110

Дел Акција: 176308

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMH3NFHATN

Дел Акција: 54

Тип на транзистор: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 500nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMX1FHAT2R

Дел Акција: 86

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMB4NFHATN

Дел Акција: 65

Тип на транзистор: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 500nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMB10NFHATN

Дел Акција: 86

Тип на транзистор: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

IMT18T110

Дел Акција: 189248

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMY1NTR

Дел Акција: 105089

Тип на транзистор: NPN, PNP (Emitter Coupled), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

Дел Акција: 120

Тип на транзистор: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

Дел Акција: 123

Тип на транзистор: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 500nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMX18T2R

Дел Акција: 102854

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

IMX9T110

Дел Акција: 121142

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 500nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 560 @ 10mA, 3V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMX1T2R

Дел Акција: 141083

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMX18NTN

Дел Акција: 176996

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMZ7NTR

Дел Акција: 173450

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMX3NTR

Дел Акција: 161100

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

IMT4T108

Дел Акција: 120898

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 500nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMZ1T2R

Дел Акција: 159590

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMX2T2R

Дел Акција: 130305

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMX5NTR

Дел Акција: 180998

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 11V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 500nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

IMZ1AT108

Дел Акција: 154056

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

IMT17T110

Дел Акција: 4489

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

IMX2T108

Дел Акција: 126207

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMT2NTR

Дел Акција: 166499

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMX52T2R

Дел Акција: 177844

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

VT6X1T2R

Дел Акција: 181553

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 200mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

QST8TR

Дел Акција: 165043

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 1.5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMZ8T2R

Дел Акција: 146330

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMX26T2R

Дел Акција: 150147

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 300nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMY1T2R

Дел Акција: 115385

Тип на транзистор: NPN, PNP (Emitter Coupled), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMT1T2R

Дел Акција: 173955

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMT18T2R

Дел Акција: 174521

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

EMX4T2R

Дел Акција: 175722

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 500nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

UMX1NTN

Дел Акција: 147331

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

IMT2AT108

Дел Акција: 186534

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.

Rohm Semiconductor

VT6X2T2R

Дел Акција: 143381

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Листа на желби.