Thyristors - SCRs | Discrete Semiconductor Products | 1

MCR100-8 A1G

Дел Акција: 229

Напон - исклучена состојба: 600V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-3 A1G

Дел Акција: 172

Напон - исклучена состојба: 100V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-7 A1G

Дел Акција: 169

Напон - исклучена состојба: 500V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-6 A1G

Дел Акција: 265

Напон - исклучена состојба: 400V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-5 A1G

Дел Акција: 255

Напон - исклучена состојба: 300V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-4 A1G

Дел Акција: 254

Напон - исклучена состојба: 200V, Напон - Подигач на портата (Vgt) (максимум): 800mV, Струја - активирање на портата (Igt) (максимум): 200µA, Напон - На состојба (Vtm) (максимум): 1.7V, Тековно - на состојба (тоа (RMS)) (максимум): 800mA,

Листа на желби.