Fixed Inductors

BRL3225T220M

BRL3225T220M

Дел Акција: 96

Тип: Wirewound, Материјал - јадро: Ferrite, Индуктивност: 22µH, Толеранција: ±20%, Тековна оценка: 470mA, Струја - Сатурација: 550mA,

Листа на желби.
BRL3225T330M

BRL3225T330M

Дел Акција: 144697

Тип: Wirewound, Материјал - јадро: Ferrite, Индуктивност: 33µH, Толеранција: ±20%, Тековна оценка: 420mA, Струја - Сатурација: 470mA,

Листа на желби.
BRL3225T3R3M

BRL3225T3R3M

Дел Акција: 168458

Тип: Wirewound, Материјал - јадро: Ferrite, Индуктивност: 3.3µH, Толеранција: ±20%, Тековна оценка: 1.2A, Струја - Сатурација: 1.45A,

Листа на желби.
BRL3225T680K

BRL3225T680K

Дел Акција: 172435

Тип: Wirewound, Материјал - јадро: Ferrite, Индуктивност: 68µH, Толеранција: ±10%, Тековна оценка: 300mA, Струја - Сатурација: 330mA,

Листа на желби.
BRL3225T330K

BRL3225T330K

Дел Акција: 123851

Тип: Wirewound, Материјал - јадро: Ferrite, Индуктивност: 33µH, Толеранција: ±10%, Тековна оценка: 420mA, Струја - Сатурација: 470mA,

Листа на желби.
BRL3225T150M

BRL3225T150M

Дел Акција: 135862

Тип: Wirewound, Материјал - јадро: Ferrite, Индуктивност: 15µH, Толеранција: ±20%, Тековна оценка: 530mA, Струја - Сатурација: 700mA,

Листа на желби.
BRL2012T100M

BRL2012T100M

Дел Акција: 182800

Тип: Wirewound, Материјал - јадро: Ferrite, Индуктивност: 10µH, Толеранција: ±20%, Тековна оценка: 330mA, Струја - Сатурација: 270mA,

Листа на желби.
LAN02TA820J

LAN02TA820J

Дел Акција: 9809

Индуктивност: 82µH, Толеранција: ±5%, Тековна оценка: 125mA,

Листа на желби.
N08DPA391K

N08DPA391K

Дел Акција: 9810

Индуктивност: 390µH, Толеранција: ±10%, Тековна оценка: 540mA,

Листа на желби.
LAN02TA2R7J

LAN02TA2R7J

Дел Акција: 9785

Индуктивност: 2.7µH, Толеранција: ±5%, Тековна оценка: 390mA,

Листа на желби.
LAL03TB470K

LAL03TB470K

Дел Акција: 9822

Индуктивност: 47µH, Толеранција: ±10%, Тековна оценка: 110mA,

Листа на желби.
HKQ04023N2S-T

HKQ04023N2S-T

Дел Акција: 135261

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 3.2nH, Толеранција: ±0.3nH, Тековна оценка: 250mA,

Листа на желби.
HKQ04021N7B-E

HKQ04021N7B-E

Дел Акција: 10012

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 1.7nH, Толеранција: ±0.1nH, Тековна оценка: 320mA,

Листа на желби.
LEM2520T220J

LEM2520T220J

Дел Акција: 9762

Тип: Wirewound, Индуктивност: 22µH, Толеранција: ±5%, Тековна оценка: 125mA,

Листа на желби.
LAL02VAR33K

LAL02VAR33K

Дел Акција: 9791

Индуктивност: 330nH, Толеранција: ±10%, Тековна оценка: 370mA,

Листа на желби.
LAL03TBR33M

LAL03TBR33M

Дел Акција: 9781

Индуктивност: 330nH, Толеранција: ±20%, Тековна оценка: 370mA,

Листа на желби.
LAL03KH270K

LAL03KH270K

Дел Акција: 9829

Индуктивност: 27µH, Толеранција: ±10%, Тековна оценка: 125mA,

Листа на желби.
N06DB100K

N06DB100K

Дел Акција: 9785

Индуктивност: 10µH, Толеранција: ±10%, Тековна оценка: 1.7A,

Листа на желби.
LBH1608T5N6D

LBH1608T5N6D

Дел Акција: 9819

Тип: Wirewound, Индуктивност: 5.6nH, Толеранција: ±0.5nH, Тековна оценка: 750mA,

Листа на желби.
HKQ04020N5C-T

HKQ04020N5C-T

Дел Акција: 165912

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 0.5nH, Толеранција: ±0.2nH, Тековна оценка: 500mA,

Листа на желби.
LAL04NA2R7M

LAL04NA2R7M

Дел Акција: 9808

Индуктивност: 2.7µH, Толеранција: ±20%, Тековна оценка: 720mA,

Листа на желби.
HKQ04024N3S-E

HKQ04024N3S-E

Дел Акција: 9875

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 4.3nH, Толеранција: ±0.3nH, Тековна оценка: 230mA,

Листа на желби.
CAL45VU222K

CAL45VU222K

Дел Акција: 9923

Листа на желби.
CAL45VB180K

CAL45VB180K

Дел Акција: 183086

Тип: Wirewound, Индуктивност: 18µH, Толеранција: ±10%, Тековна оценка: 1.25A, Струја - Сатурација: 1.25A,

Листа на желби.
LEMF2520T1R5M

LEMF2520T1R5M

Дел Акција: 10070

Тип: Wirewound, Индуктивност: 1.5µH, Толеранција: ±20%, Тековна оценка: 350mA,

Листа на желби.
LAL03TA470K

LAL03TA470K

Дел Акција: 9751

Индуктивност: 47µH, Толеранција: ±10%, Тековна оценка: 110mA,

Листа на желби.
HKQ040212NH-E

HKQ040212NH-E

Дел Акција: 9873

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 12nH, Толеранција: ±3%, Тековна оценка: 140mA,

Листа на желби.
HKQ04020N6B-E

HKQ04020N6B-E

Дел Акција: 9135

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 0.6nH, Толеранција: ±0.1nH, Тековна оценка: 500mA,

Листа на желби.
HKQ04021N7C-E

HKQ04021N7C-E

Дел Акција: 9165

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 1.7nH, Толеранција: ±0.2nH, Тековна оценка: 320mA,

Листа на желби.
HKQ04023N0S-E

HKQ04023N0S-E

Дел Акција: 9220

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 3nH, Толеранција: ±0.3nH, Тековна оценка: 260mA,

Листа на желби.
HKQ04020N6C-E

HKQ04020N6C-E

Дел Акција: 9214

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 0.6nH, Толеранција: ±0.2nH, Тековна оценка: 500mA,

Листа на желби.
HKQ04026N8H-E

HKQ04026N8H-E

Дел Акција: 9216

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 6.8nH, Толеранција: ±3%, Тековна оценка: 150mA,

Листа на желби.
HKQ04029N1H-E

HKQ04029N1H-E

Дел Акција: 9266

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 9.1nH, Толеранција: ±3%, Тековна оценка: 140mA,

Листа на желби.
HKQ04023N4S-E

HKQ04023N4S-E

Дел Акција: 9241

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 3.4nH, Толеранција: ±0.3nH, Тековна оценка: 240mA,

Листа на желби.
HKQ04020N7B-E

HKQ04020N7B-E

Дел Акција: 9137

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 0.7nH, Толеранција: ±0.1nH, Тековна оценка: 470mA,

Листа на желби.
HKQ04024N3H-E

HKQ04024N3H-E

Дел Акција: 9282

Тип: Multilayer, Материјал - јадро: Ceramic, Индуктивност: 4.3nH, Толеранција: ±3%, Тековна оценка: 230mA,

Листа на желби.