Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Memory

TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG2S0HBAI4

Дел Акција: 1439

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58CYG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG1S3HRAIG

Дел Акција: 1919

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Фреквенција на часовникот: 104MHz,

Листа на желби.
TC58NVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTAI0

Дел Акција: 8902

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI4

Дел Акција: 1435

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI4

Дел Акција: 1393

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTAI0

Дел Акција: 16444

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58NVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTA00

Дел Акција: 566

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG2S0HBAI6

Дел Акција: 17237

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TH58NVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG2S3HTA00

Дел Акција: 14392

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HBAI4

Дел Акција: 1415

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI6

Дел Акција: 17248

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58CVG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG2S0HRAIG

Дел Акција: 7253

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Фреквенција на часовникот: 104MHz,

Листа на желби.
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI4

Дел Акција: 1370

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58CYG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HRAIG

Дел Акција: 3118

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Фреквенција на часовникот: 104MHz,

Листа на желби.
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI4

Дел Акција: 8884

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HTA00

Дел Акција: 14305

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTA00

Дел Акција: 17220

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TH58NVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG2S3HTAI0

Дел Акција: 7000

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI6

Дел Акција: 14306

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HTAI0

Дел Акција: 14321

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58NYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG2S0HBAI6

Дел Акција: 17235

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 4Gb (512M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58NVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HTA00

Дел Акција: 1523

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI4

Дел Акција: 1411

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 1Gb (128M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58NVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI4

Дел Акција: 24524

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HTA00

Дел Акција: 669

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58NVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HTAI0

Дел Акција: 577

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI6

Дел Акција: 25500

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI6

Дел Акција: 25447

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI6

Дел Акција: 2239

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI6

Дел Акција: 25501

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HTAI0

Дел Акција: 24548

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 2Gb (256M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58CVG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG0S3HRAIG

Дел Акција: 1485

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 1Gb (128M x 8), Фреквенција на часовникот: 104MHz,

Листа на желби.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTAI0

Дел Акција: 2401

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 1Gb (128M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI6

Дел Акција: 33228

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 1Gb (128M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTAI0

Дел Акција: 31571

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 1Gb (128M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.
TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI6

Дел Акција: 33224

Тип на меморија: Non-Volatile, Формат на меморија: FLASH, Технологија: FLASH - NAND (SLC), Големина на меморија: 1Gb (128M x 8), Напишете време на циклусот - Збор, страница: 25ns,

Листа на желби.