| Тип | Опис |
| Статус на дел | Active |
|---|---|
| Тип на FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| ФЕТ Функција | Silicon Carbide (SiC) |
| Исцедете го до напон на изворот (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C | 113A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 4mA (Typ) |
| Полнење на портата (Qg) (максимум) @ Vgs | 197nC @ 20V |
| Внесен капацитет (Ciss) (максимум) @ Vds | 3800pF @ 1000V |
| Моќност - Макс | 500W |
| Работна температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип на монтирање | Chassis Mount |
| Пакет / случај | SP3 |
| Пакет со уреди за добавувачи | SP3 |
| Статус на ROHS. | Rohs согласност |
|---|---|
| Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е применливо |
| Статус на животниот циклус | Застарен / крај на животот |
| Категорија на акции | Достапни акции |
