Тип | Опис |
Статус на дел | Obsolete |
---|---|
Тип на FET | N-Channel |
Технологија | SiCFET (Silicon Carbide) |
Исцедете го до напон на изворот (Vdss) | 1200V |
Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Полнење на портата (Qg) (максимум) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
Vgs (Макс) | +25V, -5V |
Внесен капацитет (Ciss) (максимум) @ Vds | 1915pF @ 800V |
ФЕТ Функција | - |
Дисипација на моќност (максимум) | 215W (Tc) |
Работна температура | -55°C ~ 135°C (TJ) |
Тип на монтирање | Through Hole |
Пакет со уреди за добавувачи | TO-247-3 |
Пакет / случај | TO-247-3 |
Статус на ROHS. | Rohs согласност |
---|---|
Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е применливо |
Статус на животниот циклус | Застарен / крај на животот |
Категорија на акции | Достапни акции |