| Тип | Опис |
| Статус на дел | Active |
|---|---|
| Тип на FET | N-Channel |
| Технологија | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Исцедете го до напон на изворот (Vdss) | 1200V |
| Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690 mOhm @ 6A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Полнење на портата (Qg) (максимум) @ Vgs | 22nC @ 20V |
| Vgs (Макс) | +25V, -10V |
| Внесен капацитет (Ciss) (максимум) @ Vds | 290pF @ 400V |
| ФЕТ Функција | - |
| Дисипација на моќност (максимум) | 150W (Tc) |
| Работна температура | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Тип на монтирање | Through Hole |
| Пакет со уреди за добавувачи | HiP247™ |
| Пакет / случај | TO-247-3 |
| Статус на ROHS. | Rohs согласност |
|---|---|
| Ниво на чувствителност на влага (MSL) | Не е применливо |
| Статус на животниот циклус | Застарен / крај на животот |
| Категорија на акции | Достапни акции |
