Transistors - FETs, MOSFETs - Single

2SK4196LS-1E

Дел Акција: 9506

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56 Ohm @ 2.8A, 10V,

Да листата

2SK3821-E

Дел Акција: 9493

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 40A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 20A, 10V,

Да листата

2SK4210

Дел Акција: 9418

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 5A, 10V,

Да листата

2SK4088LS

Дел Акција: 9450

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

Да листата

2SJ652

Дел Акција: 5963

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 28A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

Да листата

2SK4065-E

Дел Акција: 9480

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Да листата

2N7008

Дел Акција: 9463

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Да листата

2N7000RLRA

Дел Акција: 9338

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Да листата

2N7002LT1

Дел Акција: 9349

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 115mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Да листата

2N7002_NB9G002

Дел Акција: 9327

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Да листата

2N7002KT3G

Дел Акција: 9323

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Да листата

Renesas Electronics America

2N7000RLRMG

Дел Акција: 9288

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Да листата

2SK3430-AZ

Дел Акција: 9563

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 40A, 10V,

Да листата

Renesas Electronics America

2SK1859-E

Дел Акција: 9480

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 3A, 10V,

Да листата

2SK354700L

Дел Акција: 9526

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Да листата

2SK3546J0L

Дел Акција: 9480

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Да листата

2SK0665G0L

Дел Акција: 9355

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

Да листата

2SK221100L

Дел Акција: 9251

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

Да листата

2SK0615

Дел Акција: 9274

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

Да листата

2SK066400L

Дел Акција: 9187

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

Да листата

Vishay Siliconix

2N6661JAN02

Дел Акција: 9463

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 90V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 860mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Да листата

Vishay Siliconix

2N6661JTXP02

Дел Акција: 9544

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 90V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 860mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Да листата

Vishay Siliconix

2N6660-2

Дел Акција: 9516

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Да листата

2N6796U

Дел Акција: 9525

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

Да листата

2N6802U

Дел Акција: 9491

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Да листата

2N6849

Дел Акција: 9509

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 6.5A, 10V,

Да листата

2N6782

Дел Акција: 9514

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.25A, 10V,

Да листата

2N6756

Дел Акција: 9470

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 14A, 10V,

Да листата

2N6760

Дел Акција: 9494

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22 Ohm @ 5.5A, 10V,

Да листата

GeneSiC Semiconductor

2N7640-GA

Дел Акција: 339

Технологија: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16A (Tc) (155°C), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 16A,

Да листата

2SJ360(TE12L,F)

Дел Акција: 9333

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V,

Да листата

2SK3127(TE24L,Q)

Дел Акција: 9296

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V,

Да листата

2SK3565(Q,M)

Дел Акција: 9308

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

Да листата