Transistors - FETs, MOSFETs - Single

AOD5T40P_101

Дел Акција: 2281

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.9A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 1A, 10V,

AOD526_DELTA

Дел Акција: 2324

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOD4TL60

Дел Акција: 6236

AO4476AL_101

Дел Акција: 6299

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO6085N03

Дел Акција: 6236

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6414G

Дел Акција: 2299

AO4476AL

Дел Акција: 2255

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO4476G

Дел Акција: 2332

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

AOD418G

Дел Акција: 2318

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 36A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT240L

Дел Акција: 40984

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), 105A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

AON7418A

Дел Акција: 2224

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

AON6764

Дел Акција: 2273

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 85A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

AON6372

Дел Акција: 6225

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 47A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

AON4605_002

Дел Акција: 2263

AOD4185_DELTA

Дел Акција: 6259

AOD413A_002

Дел Акција: 2224

AO6409_DELTA

Дел Акција: 2305

AO3424_102

Дел Акција: 6306

AO3419_101

Дел Акција: 2233

AO3423_102

Дел Акција: 2275

AO3416_104

Дел Акција: 2284

AO3415L_107

Дел Акција: 2282

AO3415_108

Дел Акција: 6278

AO3406_104

Дел Акција: 2286

AO3409_103

Дел Акција: 2287

AO3404A_104

Дел Акција: 2245

AO3402_103

Дел Акција: 2283

AOD4185L_DELTA

Дел Акција: 2225

AO3400A_101

Дел Акција: 2208

APT5SM170S

Дел Акција: 2313

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1700V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 20V,

APT5SM170B

Дел Акција: 2239

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1700V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V,

APT35SM70S

Дел Акција: 2305

Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 700V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A,

APT130SM70J

Дел Акција: 2271

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 700V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 78A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT130SM70B

Дел Акција: 2237

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 700V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 110A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

AUXHMF1404ZSTRL

Дел Акција: 6282

AUIRLR024ZTRL

Дел Акција: 141585

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,