Transistors - FETs, MOSFETs - Single

AOT11C60PL

Дел Акција: 1903

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 5.5A, 10V,

AON6546

Дел Акција: 1956

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Ta), 55A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

AOI4T60P

Дел Акција: 1886

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 2A, 10V,

AOI2210

Дел Акција: 1898

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), 18A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 18A, 10V,

AOD4T60P

Дел Акција: 1943

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 2A, 10V,

AO4266

Дел Акција: 1874

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

AO4568

Дел Акција: 6260

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 12A, 10V,

AON6266

Дел Акција: 103135

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

AOB12T60PL

Дел Акција: 1836

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

AOB10T60PL

Дел Акција: 1882

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

AOW20C60

Дел Акција: 1883

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

AOTF7T60P

Дел Акција: 1922

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

AOTF10T60P

Дел Акција: 1885

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

AOT20C60

Дел Акција: 6242

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

AON2707

Дел Акција: 1867

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 4A, 10V,

AOI4T60

Дел Акција: 1857

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 1A, 10V,

AOD474B

Дел Акција: 6183

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 5A, 10V,

AOB20C60L

Дел Акција: 1882

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

AOB11C60L

Дел Акција: 1835

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 5.5A, 10V,

AOT10T60PL

Дел Акција: 1847

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 5A, 10V,

AON7536

Дел Акција: 1886

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Ta), 68A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

AON7760

Дел Акција: 1786

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 33A (Ta), 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V,

AON7758

Дел Акција: 1786

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 36A (Ta), 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85 mOhm @ 20A, 10V,

AOB25S65L

Дел Акција: 37219

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 25A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 12.5A, 10V,

AON6518

Дел Акција: 6245

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 48A (Ta), 85A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 mOhm @ 20A, 10V,

AON6760

Дел Акција: 1857

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 28A (Ta), 36A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

AON6413

Дел Акција: 138095

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Ta), 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 16A, 10V,

AUIRFR540Z

Дел Акција: 40722

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 21A, 10V,

AUIRL3705ZSTRL

Дел Акција: 1902

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 52A, 10V,

AUIRFS3206TRL

Дел Акција: 1865

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V,

APT40SM120S

Дел Акција: 2514

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 41A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

APT40SM120B

Дел Акција: 1859

Тип на FET: N-Channel, Технологија: SiCFET (Silicon Carbide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 41A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

ATP404-H-TL-H

Дел Акција: 95510

ATP212-S-TL-H

Дел Акција: 1896

ATP207-S-TL-H

Дел Акција: 1867

ATP201-V-TL-H

Дел Акција: 1841