Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

2N6660JTXV02
Vishay Siliconix

2N6660JTXV02

Дел Акција: 1839

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Да листата
2N6660JTXP02
Vishay Siliconix

2N6660JTXP02

Дел Акција: 1797

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Да листата
2N6660JTX02
Vishay Siliconix

2N6660JTX02

Дел Акција: 1843

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Да листата
2N6660JTXL02
Vishay Siliconix

2N6660JTXL02

Дел Акција: 1782

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Да листата
2N6660-E3
Vishay Siliconix

2N6660-E3

Дел Акција: 1842

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Да листата
2N6660JTVP02
Vishay Siliconix

2N6660JTVP02

Дел Акција: 1813

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 990mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Да листата
2N6770T1
Microsemi Corporation

2N6770T1

Дел Акција: 1795

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 12A, 10V,

Да листата
2N6768T1
Microsemi Corporation

2N6768T1

Дел Акција: 1792

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 14A, 10V,

Да листата
2N6764T1
Microsemi Corporation

2N6764T1

Дел Акција: 1835

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 38A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 38A, 10V,

Да листата
2N6849U
Microsemi Corporation

2N6849U

Дел Акција: 6221

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 4.1A, 10V,

Да листата
2N6802
Microsemi Corporation

2N6802

Дел Акција: 1622

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Да листата
2N6800U
Microsemi Corporation

2N6800U

Дел Акција: 1687

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2A, 10V,

Да листата
2N6800
Microsemi Corporation

2N6800

Дел Акција: 6196

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2A, 10V,

Да листата
2N6798U
Microsemi Corporation

2N6798U

Дел Акција: 1665

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 10V,

Да листата
2N6798
Microsemi Corporation

2N6798

Дел Акција: 1655

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 10V,

Да листата
2N6796
Microsemi Corporation

2N6796

Дел Акција: 1696

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

Да листата
2N6790U
Microsemi Corporation

2N6790U

Дел Акција: 1672

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.25A, 10V,

Да листата
2N6790
Microsemi Corporation

2N6790

Дел Акција: 6230

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.25A, 10V,

Да листата
2N6788
Microsemi Corporation

2N6788

Дел Акција: 1674

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3.5A, 10V,

Да листата
2N6788U
Microsemi Corporation

2N6788U

Дел Акција: 1702

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 3.5A, 10V,

Да листата
2N6784U
Microsemi Corporation

2N6784U

Дел Акција: 1650

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.25A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V,

Да листата
2N6784
Microsemi Corporation

2N6784

Дел Акција: 1619

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.25A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V,

Да листата
2N6782U
Microsemi Corporation

2N6782U

Дел Акција: 1648

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.25A, 10V,

Да листата
2N6768
Microsemi Corporation

2N6768

Дел Акција: 1645

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 14A, 10V,

Да листата
2N6766
Microsemi Corporation

2N6766

Дел Акција: 1708

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 30A, 10V,

Да листата
2N6766T1
Microsemi Corporation

2N6766T1

Дел Акција: 1657

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 30A, 10V,

Да листата
2N6764
Microsemi Corporation

2N6764

Дел Акција: 1689

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 38A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 38A, 10V,

Да листата
2N6758
Microsemi Corporation

2N6758

Дел Акција: 1637

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 9A, 10V,

Да листата
2N6770
Microsemi Corporation

2N6770

Дел Акција: 1662

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 12A, 10V,

Да листата
2N6804
Microsemi Corporation

2N6804

Дел Акција: 1682

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 11A, 10V,

Да листата
2N7236U
Microsemi Corporation

2N7236U

Дел Акција: 1682

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 11A, 10V,

Да листата
2N6762
Microsemi Corporation

2N6762

Дел Акција: 6234

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 4.5A, 10V,

Да листата
2N7228U
Microsemi Corporation

2N7228U

Дел Акција: 1618

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 8A, 10V,

Да листата
2N7228
Microsemi Corporation

2N7228

Дел Акција: 1638

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415 mOhm @ 8A, 10V,

Да листата
2N7227U
Microsemi Corporation

2N7227U

Дел Акција: 1620

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315 mOhm @ 9A, 10V,

Да листата
2N7225U
Microsemi Corporation

2N7225U

Дел Акција: 1650

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 27.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 17A, 10V,

Да листата