Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

APT7F80K

Дел Акција: 366

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 4A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT8014JLL

Дел Акција: 369

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 42A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 21A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT6M100K

Дел Акција: 416

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT75M50B2

Дел Акција: 5052

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT60M80JVR

Дел Акција: 373

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 55A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT60M80L2VRG

Дел Акција: 2032

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 65A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 32.5A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT60M75JVFR

Дел Акција: 394

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 62A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 31A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT60M75L2LLG

Дел Акција: 1781

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 73A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT5F100K

Дел Акција: 412

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 3A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT58M50J

Дел Акција: 2293

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 58A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT55M65JFLL

Дел Акција: 338

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 550V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 63A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 31.5A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT55M50JFLL

Дел Акција: 379

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 550V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 77A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 38.5A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT5510JFLL

Дел Акција: 6039

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 550V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 44A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT5016BFLLG

Дел Акција: 6194

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT5018BLLG

Дел Акција: 366

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 27A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 13.5A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT4M120K

Дел Акција: 398

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT4F120K

Дел Акција: 409

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 2A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT45M100J

Дел Акција: 1471

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 33A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT41M80L

Дел Акција: 4379

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 43A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 20A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT40M70JVFR

Дел Акција: 385

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 53A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 26.5A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT40M70LVFRG

Дел Акција: 350

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 57A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT34F60BG

Дел Акција: 5675

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 34A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT40M35JVFR

Дел Акција: 357

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 93A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 46.5A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT32M80J

Дел Акција: 2341

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 33A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 24A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT31N80JC3

Дел Акција: 403

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 31A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT31M100B2

Дел Акција: 4176

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 16A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT31N60BCSG

Дел Акција: 325

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 31A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT30M85SVFRG

Дел Акција: 386

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT30M85BVFRG

Дел Акција: 318

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT30M70SVRG

Дел Акција: 372

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 48A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT30M40B2VFRG

Дел Акција: 318

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT29F100L

Дел Акција: 3918

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 16A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT26F120L

Дел Акција: 2571

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 27A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 14A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT23F60B

Дел Акција: 13424

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT22F120B2

Дел Акција: 3405

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 23A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

APT22F120L

Дел Акција: 3400

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 23A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

Да листата