Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 100

APT2X101S20J

Дел Акција: 2725

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT15DQ60BCTG

Дел Акција: 20940

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.4V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X20DC60J

Дел Акција: 1426

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 20A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT60DQ60BCTG

Дел Акција: 11515

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.4V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X21DC120J

Дел Акција: 1510

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 20A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X60D30J

Дел Акција: 4471

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT30D100BCAG

Дел Акција: 4419

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.3V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT10SCD65KCT

Дел Акција: 7652

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 17A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X60DC120J

Дел Акција: 647

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 60A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X40DC120J

Дел Акција: 910

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 40A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X40DC60J

Дел Акција: 4083

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 40A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X31DC120J

Дел Акција: 4104

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 30A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X30DC120J

Дел Акција: 4162

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 30A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X20DC120J

Дел Акција: 1523

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 20A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APTDC902U601G

Дел Акција: 4122

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 90A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 90A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT10SCD120BCT

Дел Акција: 3952

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 36A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X150DL60J

Дел Акција: 2369

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.6V @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X41DC120J

Дел Акција: 952

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 40A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X50DC120J

Дел Акција: 777

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 50A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT60DQ120LCTG

Дел Акција: 3868

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3.3V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT8DQ60KCTG

Дел Акција: 3871

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.4V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT60D30LCTG

Дел Акција: 3895

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT60D20LCTG

Дел Акција: 3885

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT40DQ120BCTG

Дел Акција: 4438

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3.3V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT40DQ100BCTG

Дел Акција: 3858

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT30DS60BG

Дел Акција: 6132

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 4V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT30DQ100BCTG

Дел Акција: 3860

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 3V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X60DQ60J

Дел Акција: 4074

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.3V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X60D40J

Дел Акција: 3544

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X60D20J

Дел Акција: 3886

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X30D40J

Дел Акција: 4128

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X30D30J

Дел Акција: 4064

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X100D30J

Дел Акција: 3857

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Microsemi Corporation

APT2X100D40J

Дел Акција: 2926

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Comchip Technology

ACDSV6-4448TI-G

Дел Акција: 143494

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Comchip Technology

ACDST6-4448TI-G

Дел Акција: 4514

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 75V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата