Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 100

MBRT60040R

Дел Акција: 959

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 600A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200160(A)D

Дел Акција: 1239

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 200A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040R

Дел Акција: 1084

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

FST12080

Дел Акција: 1525

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060R

Дел Акција: 1065

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035R

Дел Акција: 1133

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR200200CTR

Дел Акција: 1485

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MURT30040

Дел Акција: 1082

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT50035

Дел Акција: 1091

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MURT10040

Дел Акција: 1273

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060R

Дел Акција: 985

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 600A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045

Дел Акција: 992

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A200

Дел Акција: 3422

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

FST12030

Дел Акција: 1597

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

FST12040

Дел Акција: 1554

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-E3/4W

Дел Акција: 148724

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1080C-M3/4W

Дел Акција: 142397

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40DM120CHM3/I

Дел Акција: 72988

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 890mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT1060C-M3/4W

Дел Акција: 152283

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045CBP-M3/4W

Дел Акција: 65447

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4045C-M3/4W

Дел Акција: 56553

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2080C-M3/4W

Дел Акција: 115587

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3060C-M3/4W

Дел Акција: 103984

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40100C-M3/4W

Дел Акција: 73453

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 730mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT3045C-M3/4W

Дел Акција: 76935

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

SMC Diode Solutions

SBR10200CT

Дел Акција: 179092

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 980mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Infineon Technologies

DD710N16KHPSA2

Дел Акција: 124

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 710A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.31V @ 2500A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Infineon Technologies

DD540N22KHPSA2

Дел Акција: 104

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 2200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 540A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.48V @ 1700A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Infineon Technologies

DD171N16KHPSA1

Дел Акција: 113

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 171A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.26V @ 500A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Infineon Technologies

DD260N12KHPSA1

Дел Акција: 137

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 260A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.32V @ 800A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D3

Дел Акција: 1918

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Nexperia USA Inc.

PMEG6002TV,115

Дел Акција: 116897

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10100CTHMNG

Дел Акција: 164

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

ON Semiconductor

NRVBB20100CTT4G

Дел Акција: 51931

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

ON Semiconductor

SBAT54ALT3G

Дел Акција: 190167

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Diodes Incorporated

MBRF10150CT-JT

Дел Акција: 122752

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 890mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата