Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 100

RB088NS150FHTL

Дел Акција: 107

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Rohm Semiconductor

DAP222MFHT2L

Дел Акција: 142

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Panasonic Electronic Components

DB3J406N0L

Дел Акција: 168202

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 75mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Да листата

Powerex Inc.

ND412426

Дел Акција: 171

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 2400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 260A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 1500A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Powerex Inc.

ND410635

Дел Акција: 119

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 350A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 1000A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1550CTHC0G

Дел Акција: 138

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1005GHC0G

Дел Акција: 132

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2090 MNG

Дел Акција: 169

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1603 C0G

Дел Акција: 74

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2004G C0G

Дел Акција: 113

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CTHC0G

Дел Акција: 132

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10100CTHC0G

Дел Акција: 141

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1606 C0G

Дел Акција: 79

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 8A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15150CT C0G

Дел Акција: 107

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20100CT-Y MNG

Дел Акција: 113

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 850mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1050CTHC0G

Дел Акција: 98

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090CT C0G

Дел Акција: 82

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L120CT C0G

Дел Акција: 68

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF16100HC0G

Дел Акција: 160

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1550CTHMNG

Дел Акција: 117

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS4060CT MNG

Дел Акција: 120

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 40A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 40A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1006GHC0G

Дел Акција: 130

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001HC0G

Дел Акција: 92

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2550CT C0G

Дел Акција: 111

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1090HMNG

Дел Акција: 160

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 90V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 900mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25150CT MNG

Дел Акција: 144

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 25A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.02V @ 25A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150STRRHM3

Дел Акција: 52621

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ040-1-M3

Дел Акција: 115878

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 7.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 7.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100STRLHM3

Дел Акција: 41679

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 20A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4C-M3/87A

Дел Акција: 176480

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 520mV @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTR-M3

Дел Акција: 76898

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ100S-M3

Дел Акција: 87159

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 720mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

Дел Акција: 1344

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 250A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

Дел Акција: 1195

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 400A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

Дел Акција: 171499

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 215mA, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата

Diodes Incorporated

MBRF20200CT-JT

Дел Акција: 102317

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 890mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата