Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 39

ULN2004AIDR

Дел Акција: 179925

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA,

Да листата

Texas Instruments

ULN2003ANE4

Дел Акција: 108492

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA,

Да листата

Texas Instruments

ULN2003BDR

Дел Акција: 160363

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA,

Да листата

Nexperia USA Inc.

PBSS5230PAP,115

Дел Акција: 148433

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 420mv @ 100mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

Да листата

Nexperia USA Inc.

PUMX1,115

Дел Акција: 106417

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Да листата

Nexperia USA Inc.

PHPT610030NPKX

Дел Акција: 121393

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 110mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 10V,

Да листата

Nexperia USA Inc.

PBSS4112PANP,115

Дел Акција: 194119

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 2V,

Да листата

Nexperia USA Inc.

PBSS4032SPN,115

Дел Акција: 155040

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5.7A, 4.8A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

Да листата

Nexperia USA Inc.

PMBT3946YPN,125

Дел Акција: 181115

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 200mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Да листата

Panasonic Electronic Components

UP0453400L

Дел Акција: 4538

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 15mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V,

Да листата

Panasonic Electronic Components

XN0B30100L

Дел Акција: 6508

Тип на транзистор: NPN, PNP Complementary Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Да листата

Panasonic Electronic Components

DMA506010R

Дел Акција: 147841

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

Да листата

Panasonic Electronic Components

UP0460100L

Дел Акција: 4382

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V / 180 @ 5mA, 10V,

Да листата

Panasonic Electronic Components

UP04501G0L

Дел Акција: 4634

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V,

Да листата

STMicroelectronics

ULN2003D1

Дел Акција: 4541

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA,

Да листата

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919L

Дел Акција: 1586

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Да листата

Microsemi Corporation

JANSR2N2920U

Дел Акција: 4563

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Да листата

Microsemi Corporation

JANTXV2N6987

Дел Акција: 1339

Тип на транзистор: 4 PNP (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Да листата

Microsemi Corporation

JANTX2N2920

Дел Акција: 204

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 30mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Да листата

Microsemi Corporation

JAN2N3811U

Дел Акција: 4458

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Да листата

Rohm Semiconductor

FMY5T148

Дел Акција: 168226

Тип на транзистор: NPN, PNP (Emitter Coupled), Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 500nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

Да листата

ON Semiconductor

MC1413PG

Дел Акција: 128529

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Да листата

ON Semiconductor

MMPQ2907A

Дел Акција: 96889

Тип на транзистор: 4 PNP (Quad), Струја - колектор (Ic) (максимум): 600mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 20nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Да листата

Diodes Incorporated

ZXTD717MCTA

Дел Акција: 126820

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 4A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V,

Да листата

Diodes Incorporated

ULN2003V12S16-13

Дел Акција: 132682

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA,

Да листата

Diodes Incorporated

ZXTD718MCTA

Дел Акција: 103485

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 3.5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Да листата

Diodes Incorporated

ZXTD6717E6TC

Дел Акција: 4441

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1.5A, 1.25A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10nA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V,

Да листата

Diodes Incorporated

MMDT4126-7-F

Дел Акција: 124439

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 200mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 25V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Да листата

Diodes Incorporated

MMDT4124-7-F

Дел Акција: 119491

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 200mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 25V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Да листата

Diodes Incorporated

DSS45160FDB-7

Дел Акција: 130170

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V,

Да листата

Diodes Incorporated

ZDT6757TA

Дел Акција: 4442

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Да листата

Central Semiconductor Corp

CMKT5078 TR

Дел Акција: 162501

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V / 250 @ 100µA, 5V,

Да листата

Central Semiconductor Corp

CMKT3920 TR

Дел Акција: 186053

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 200mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

Дел Акција: 4497

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

Дел Акција: 4567

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Да листата

Analog Devices Inc.

MAT01GHZ

Дел Акција: 3902

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Струја - колектор (Ic) (максимум): 25mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 45V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 400nA,

Да листата