Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 35V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 1V @ 1µA,
Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 16mA @ 5V, Тековен мозоци (идентичен) - Макс: 50mA, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 300mV @ 100µA,
Тип на FET: P-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 5V @ 10nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 40V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 300mV @ 10nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 25V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 2V @ 1µA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 25V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 3V @ 10nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 25V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 1V @ 3nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 2V @ 10nA,
Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 240µA @ 2V, Тековен мозоци (идентичен) - Макс: 1mA, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 100mV @ 1µA,
Тип на FET: P-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 800mV @ 10nA,
Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 2V, Тековен мозоци (идентичен) - Макс: 1mA, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 100mV @ 1µA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 40V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 600mV @ 1nA,
Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, Тековен мозоци (идентичен) - Макс: 1mA, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 100mV @ 1µA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 20V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, Тековен мозоци (идентичен) - Макс: 1mA, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 600mV @ 1µA,
Тип на FET: P-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 5V @ 1µA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 4V @ 1nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 500mV @ 1nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 40V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 5V @ 1nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 6V @ 1nA,
Тип на FET: P-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 1.5V @ 1nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 2V @ 1nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 40V, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 40V, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 10V @ 500pA,
Тип на FET: N-Channel, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1200V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 3.3µA @ 1200V, Тековен мозоци (идентичен) - Макс: 35A,
Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), Напон - Дефект (V (BR) GSS): 25V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 1V @ 1nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 30V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 3V @ 1nA,
Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 40V, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 500mV @ 1nA,
Тип на FET: N-Channel, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, Тековен мозоци (идентичен) - Макс: 30mA, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 5V @ 10µA,