Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 100

APTM10DUM05TG

Дел Акција: 2783

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 278A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM10DHM09TG

Дел Акција: 2789

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM10DDAM19T3G

Дел Акција: 2824

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM100TDU35PG

Дел Акција: 2796

Тип на FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V (1kV), Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM10DDAM09T3G

Дел Акција: 2768

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM100DUM90G

Дел Акција: 2758

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V (1kV), Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 78A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM100H80FT1G

Дел Акција: 2809

Тип на FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V (1kV), Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM100DU18TG

Дел Акција: 2809

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V (1kV), Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 43A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM100DDA35T3G

Дел Акција: 2731

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V (1kV), Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM100A46FT1G

Дел Акција: 2813

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V (1kV), Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM100A40FT1G

Дел Акција: 2805

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V (1kV), Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 21A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM100A12STG

Дел Акција: 2822

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V (1kV), Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 68A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM100A23SCTG

Дел Акција: 2760

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Silicon Carbide (SiC), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V (1kV), Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 36A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTM08TDUM04PG

Дел Акција: 2746

Тип на FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 120A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC80H29T1G

Дел Акција: 2742

Тип на FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC80DSK29T3G

Дел Акција: 2793

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC80H29SCTG

Дел Акција: 1092

Тип на FET: 4 N-Channel (H-Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC80DDA29T3G

Дел Акција: 2788

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC80A15T1G

Дел Акција: 2799

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC80AM75SCG

Дел Акција: 594

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 56A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC80A10SCTG

Дел Акција: 863

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 42A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC60DSKM70T3G

Дел Акција: 2751

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC60DSKM35T3G

Дел Акција: 2727

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T3G

Дел Акција: 2741

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Да листата

Microsemi Corporation

APTC60AM70T1G

Дел Акција: 2769

Тип на FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5802A

Дел Акција: 2728

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3810

Дел Акција: 2760

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3806

Дел Акција: 2744

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD606

Дел Акција: 2755

Тип на FET: N and P-Channel, Common Drain, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8803

Дел Акција: 2798

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7600

Дел Акција: 2769

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 900mA, 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6804

Дел Акција: 2805

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4932

Дел Акција: 2765

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4826

Дел Акција: 2775

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOP610

Дел Акција: 2727

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Да листата

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4619

Дел Акција: 3310

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Да листата