Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

DMN601DWK-7

Дел Акција: 176941

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 305mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Да листата

DMN5L06DMK-7

Дел Акција: 107540

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 305mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Да листата

DMN2050LFDB-7

Дел Акција: 105819

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Да листата

DMN2004DMK-7

Дел Акција: 125678

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Да листата

SQJB70EP-T1_GE3

Дел Акција: 113439

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Да листата

SI4936BDY-T1-E3

Дел Акција: 168524

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Да листата

SI1965DH-T1-E3

Дел Акција: 100544

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Да листата

SIA911ADJ-T1-GE3

Дел Акција: 139873

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Да листата

SQJ990EP-T1_GE3

Дел Акција: 141592

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Да листата

SQ1563AEH-T1_GE3

Дел Акција: 2535

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Да листата

SIA537EDJ-T1-GE3

Дел Акција: 157576

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Да листата

SI5513CDC-T1-GE3

Дел Акција: 193923

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A, 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Да листата

SQJQ904E-T1_GE3

Дел Акција: 54848

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Да листата

SI1926DL-T1-E3

Дел Акција: 150474

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Да листата

SI7212DN-T1-E3

Дел Акција: 57376

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Да листата

IRF9956TRPBF

Дел Акција: 162504

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Да листата

IRF7301TRPBF

Дел Акција: 199318

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Да листата

IRF3575DTRPBF

Дел Акција: 34855

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 303A (Tc),

Да листата

IRF7324TRPBF

Дел Акција: 97929

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Да листата

IPG20N06S2L35ATMA1

Дел Акција: 145368

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA,

Да листата

IRF7103TRPBF

Дел Акција: 149977

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

IPG20N06S2L50ATMA1

Дел Акција: 152225

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 55V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA,

Да листата

Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

Дел Акција: 96459

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

Да листата

Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

Дел Акција: 138723

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Да листата

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

Дел Акција: 166276

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA, 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Да листата

SSM6N57NU,LF

Дел Акција: 182932

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

Дел Акција: 151036

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A, 7.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

Дел Акција: 164511

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Да листата

NTMD4N03R2G

Дел Акција: 117636

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Да листата

FDS6911

Дел Акција: 99941

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Да листата

FDMD8630

Дел Акција: 2633

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Standard, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 38A (Ta), 167A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 38A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Да листата

FDS6975

Дел Акција: 115211

Тип на FET: 2 P-Channel (Dual), ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Да листата

FDS4897C

Дел Акција: 170499

Тип на FET: N and P-Channel, ФЕТ Функција: Logic Level Gate, Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.2A, 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Да листата