Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Ferrite Cores

B65684A0315A027
EPCOS (TDK)

B65684A0315A027

Дел Акција: 3089

Тип на јадро: PM, Фактор на индуктивност (Ал): 315nH, Толеранција: ±3%, Јаз: N27, Ефективна пропустливост (µe): 62.00mm, Почетна пропустливост (μi): PM 62 x 49,

Да листата
B66317G0000X130
EPCOS (TDK)

B66317G0000X130

Дел Акција: 130466

Тип на јадро: E, Јаз: N30, Почетна пропустливост (μi): E 25 x 13 x 7,

Да листата
B64290L0647X065
EPCOS (TDK)

B64290L0647X065

Дел Акција: 53690

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 6.8µH, Толеранција: ±30%, Јаз: T65, Ефективна пропустливост (µe): 31.00mm,

Да листата
B64290L0043X037
EPCOS (TDK)

B64290L0043X037

Дел Акција: 7077

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 13µH, Толеранција: ±25%, Јаз: T37, Ефективна пропустливост (µe): 60.10mm,

Да листата
B66387G1500X127
EPCOS (TDK)

B66387G1500X127

Дел Акција: 13106

Тип на јадро: E, Јаз: N27, Почетна пропустливост (μi): E 65 x 32 x 27,

Да листата
B65879B0000R087
EPCOS (TDK)

B65879B0000R087

Дел Акција: 43518

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 4.8µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): PQ 32 x 30,

Да листата
B66397G1500X187
EPCOS (TDK)

B66397G1500X187

Дел Акција: 20723

Тип на јадро: ETD, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): ETD 59 x 31 x 22,

Да листата
B65701W0000R087
EPCOS (TDK)

B65701W0000R087

Дел Акција: 31278

Тип на јадро: P (Pot Core), Фактор на индуктивност (Ал): 6.4µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Ефективна пропустливост (µe): 30.50mm, Почетна пропустливост (μi): P 30 x 19,

Да листата
B65883A0000R087
EPCOS (TDK)

B65883A0000R087

Дел Акција: 22347

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 4.3µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): PQ 40 x 40,

Да листата
B66371G1500X127
EPCOS (TDK)

B66371G1500X127

Дел Акција: 11999

Тип на јадро: E, Јаз: N27, Почетна пропустливост (μi): E 70 x 33 x 32,

Да листата
B66343G0000X127
EPCOS (TDK)

B66343G0000X127

Дел Акција: 13650

Тип на јадро: EC, Јаз: N27, Почетна пропустливост (μi): EC 70 x 35 x 16,

Да листата
B65883A0000R049
EPCOS (TDK)

B65883A0000R049

Дел Акција: 16932

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 3.2µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N49, Почетна пропустливост (μi): PQ 40 x 40,

Да листата
B66367G2000X187
EPCOS (TDK)

B66367G2000X187

Дел Акција: 28578

Тип на јадро: ETD, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): ETD 49 x 25 x 16,

Да листата
B65879A0000R087
EPCOS (TDK)

B65879A0000R087

Дел Акција: 26812

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 6.3µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): PQ 32 x 20,

Да листата
B65815E0000R097
EPCOS (TDK)

B65815E0000R097

Дел Акција: 15548

Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 5.3µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N97, Почетна пропустливост (μi): RM 12,

Да листата
B64290L0699X065
EPCOS (TDK)

B64290L0699X065

Дел Акција: 4924

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 12.6µH, Толеранција: ±30%, Јаз: T65, Ефективна пропустливост (µe): 65.30mm,

Да листата
B65881A0000R087
EPCOS (TDK)

B65881A0000R087

Дел Акција: 25768

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 4.5µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): PQ 35 x 35,

Да листата
B64290L0657X830
EPCOS (TDK)

B64290L0657X830

Дел Акција: 48956

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 4.54µH, Толеранција: ±25%, Јаз: N30, Ефективна пропустливост (µe): 32.10mm,

Да листата
B64290L0040X087
EPCOS (TDK)

B64290L0040X087

Дел Акција: 10402

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 2.76µH, Толеранција: ±25%, Јаз: N87, Ефективна пропустливост (µe): 60.10mm,

Да листата
B66325G0000X127
EPCOS (TDK)

B66325G0000X127

Дел Акција: 48881

Тип на јадро: E, Јаз: N27, Почетна пропустливост (μi): E 42 x 21 x 15,

Да листата
B66358G1000X187
EPCOS (TDK)

B66358G1000X187

Дел Акција: 83220

Тип на јадро: ETD, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): ETD 29 x 16 x 10,

Да листата
B64290L0616X087
EPCOS (TDK)

B64290L0616X087

Дел Акција: 58687

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 4.68µH, Толеранција: ±25%, Јаз: N87, Ефективна пропустливост (µe): 26.60mm,

Да листата
B64290L0659X087
EPCOS (TDK)

B64290L0659X087

Дел Акција: 16084

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 3.59µH, Толеранција: ±25%, Јаз: N87, Ефективна пропустливост (µe): 41.80mm,

Да листата
B65887E0250A087
EPCOS (TDK)

B65887E0250A087

Дел Акција: 12108

Тип на јадро: RM, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): RM 14,

Да листата
B65887E1000J087
EPCOS (TDK)

B65887E1000J087

Дел Акција: 20907

Тип на јадро: RM, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): RM 14,

Да листата
B64290L0659X027
EPCOS (TDK)

B64290L0659X027

Дел Акција: 17990

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 3.27µH, Толеранција: ±25%, Јаз: N27, Ефективна пропустливост (µe): 41.80mm,

Да листата
B65651T0100A033
EPCOS (TDK)

B65651T0100A033

Дел Акција: 19402

Тип на јадро: P (Pot Core), Фактор на индуктивност (Ал): 100nH, Толеранција: ±3%, Јаз: M33, Ефективна пропустливост (µe): 18.40mm, Почетна пропустливост (μi): P 18 x 11,

Да листата
B65671W0000Y038
EPCOS (TDK)

B65671W0000Y038

Дел Акција: 30775

Тип на јадро: P (Pot Core), Фактор на индуктивност (Ал): 22µH, Толеранција: -30%, +40%, Јаз: T38, Ефективна пропустливост (µe): 26.00mm, Почетна пропустливост (μi): P 26 x 16,

Да листата
B65887E0000R087
EPCOS (TDK)

B65887E0000R087

Дел Акција: 12915

Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 6µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): RM 14,

Да листата
B66397G0000X197
EPCOS (TDK)

B66397G0000X197

Дел Акција: 10928

Тип на јадро: ETD, Јаз: N97, Почетна пропустливост (μi): ETD 59 x 31 x 22,

Да листата
B66365G0000X187
EPCOS (TDK)

B66365G0000X187

Дел Акција: 35637

Тип на јадро: ETD, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): ETD 44 x 22 x 15,

Да листата
B65981A0000R097
EPCOS (TDK)

B65981A0000R097

Дел Акција: 6175

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 6.7µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N97, Почетна пропустливост (μi): PQ 50 x 50,

Да листата
B65813P0000R049
EPCOS (TDK)

B65813P0000R049

Дел Акција: 43456

Јаз: N49,

Да листата
B64290L0048X087
EPCOS (TDK)

B64290L0048X087

Дел Акција: 45681

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 2.79µH, Толеранција: ±25%, Јаз: N87, Ефективна пропустливост (µe): 35.50mm,

Да листата
B65811D0000R048
EPCOS (TDK)

B65811D0000R048

Дел Акција: 37177

Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 2.9µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N48, Почетна пропустливост (μi): RM 8,

Да листата
B64290L0674X065
EPCOS (TDK)

B64290L0674X065

Дел Акција: 52881

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 6.8µH, Толеранција: ±30%, Јаз: T65, Ефективна пропустливост (µe): 37.50mm,

Да листата