Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Ferrite Cores

B65701W0000R030
EPCOS (TDK)

B65701W0000R030

Дел Акција: 26302

Тип на јадро: P (Pot Core), Фактор на индуктивност (Ал): 11.5µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N30, Ефективна пропустливост (µe): 30.50mm, Почетна пропустливост (μi): P 30 x 19,

Да листата
B66461G0000X192
EPCOS (TDK)

B66461G0000X192

Дел Акција: 20456

Тип на јадро: ELP, Јаз: N92, Почетна пропустливост (μi): ELP 43 x 10 x 28,

Да листата
B66363G1000X187
EPCOS (TDK)

B66363G1000X187

Дел Акција: 94665

Тип на јадро: ETD, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): ETD 39 x 20 x 13,

Да листата
B65875A0000R087
EPCOS (TDK)

B65875A0000R087

Дел Акција: 115201

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 2.65µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): PQ 20 x 20,

Да листата
B66289K0000X149
EPCOS (TDK)

B66289K0000X149

Дел Акција: 23399

Тип на јадро: I, Јаз: N49, Почетна пропустливост (μi): I 38 x 4 x 25,

Да листата
B65651D0000R048
EPCOS (TDK)

B65651D0000R048

Дел Акција: 32991

Тип на јадро: P (Pot Core), Фактор на индуктивност (Ал): 2.8µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N48, Ефективна пропустливост (µe): 18.40mm, Почетна пропустливост (μi): P 18 x 11,

Да листата
B66484K0000X192
EPCOS (TDK)

B66484K0000X192

Дел Акција: 50860

Тип на јадро: I, Јаз: N92, Почетна пропустливост (μi): I 25 x 3 x 15,

Да листата
B66365G0500X187
EPCOS (TDK)

B66365G0500X187

Дел Акција: 33660

Тип на јадро: ETD, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): ETD 44 x 22 x 15,

Да листата
B65807J0000R041
EPCOS (TDK)

B65807J0000R041

Дел Акција: 61051

Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 3.1µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N41, Почетна пропустливост (μi): RM 6,

Да листата
B66329G1500X187
EPCOS (TDK)

B66329G1500X187

Дел Акција: 59667

Тип на јадро: E, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): E 42 x 21 x 20,

Да листата
B65811F0630J048
EPCOS (TDK)

B65811F0630J048

Дел Акција: 26020

Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 630nH, Толеранција: ±5%, Јаз: N48, Почетна пропустливост (μi): RM 8,

Да листата
B65877B0000R097
EPCOS (TDK)

B65877B0000R097

Дел Акција: 28555

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 5.15µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N97, Почетна пропустливост (μi): PQ 26 x 20,

Да листата
B65843A0160B087
EPCOS (TDK)

B65843A0160B087

Дел Акција: 194242

Тип на јадро: EP, Фактор на индуктивност (Ал): 160nH, Толеранција: ±4%, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): EP 13,

Да листата
B66229G0000X187
EPCOS (TDK)

B66229G0000X187

Дел Акција: 84224

Тип на јадро: E, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): E 32 x 16 x 9,

Да листата
B65513J0000R049
EPCOS (TDK)

B65513J0000R049

Дел Акција: 62687

Тип на јадро: ER, Фактор на индуктивност (Ал): 1.1µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N49, Почетна пропустливост (μi): ER 14.5 x 6,

Да листата
B64290L0651X038
EPCOS (TDK)

B64290L0651X038

Дел Акција: 94235

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 12µH, Толеранција: ±30%, Јаз: T38, Ефективна пропустливост (µe): 23.30mm,

Да листата
B66361G1000X127
EPCOS (TDK)

B66361G1000X127

Дел Акција: 73987

Тип на јадро: ETD, Јаз: N27, Почетна пропустливост (μi): ETD 34 x 17 x 11,

Да листата
B65651D0000R030
EPCOS (TDK)

B65651D0000R030

Дел Акција: 43089

Тип на јадро: P (Pot Core), Јаз: N30, Ефективна пропустливост (µe): 18.40mm, Почетна пропустливост (μi): P 18 x 11,

Да листата
B64290L0048X065
EPCOS (TDK)

B64290L0048X065

Дел Акција: 45662

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 6.4µH, Толеранција: ±30%, Јаз: T65, Ефективна пропустливост (µe): 35.50mm,

Да листата
B65671W0000R030
EPCOS (TDK)

B65671W0000R030

Дел Акција: 22830

Тип на јадро: P (Pot Core), Фактор на индуктивност (Ал): 9.7µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N30, Ефективна пропустливост (µe): 26.00mm, Почетна пропустливост (μi): P 26 x 16,

Да листата
B66459G0000X197
EPCOS (TDK)

B66459G0000X197

Дел Акција: 28425

Тип на јадро: ELP, Јаз: N97, Почетна пропустливост (μi): ELP 38 x 8 x 25,

Да листата
B66300G0000X138
EPCOS (TDK)

B66300G0000X138

Дел Акција: 130832

Тип на јадро: E, Јаз: T38, Почетна пропустливост (μi): E 6 x 3,

Да листата
B65805J0000R041
EPCOS (TDK)

B65805J0000R041

Дел Акција: 56424

Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 2.6µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N41, Почетна пропустливост (μi): RM 5,

Да листата
B66329G1500X127
EPCOS (TDK)

B66329G1500X127

Дел Акција: 35118

Тип на јадро: E, Јаз: N27, Почетна пропустливост (μi): E 42 x 21 x 20,

Да листата
B65881A0000R097
EPCOS (TDK)

B65881A0000R097

Дел Акција: 10573

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 4.7µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N97, Почетна пропустливост (μi): PQ 35 x 35,

Да листата
B65671W0000R087
EPCOS (TDK)

B65671W0000R087

Дел Акција: 47055

Тип на јадро: P (Pot Core), Фактор на индуктивност (Ал): 5.5µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Ефективна пропустливост (µe): 26.00mm, Почетна пропустливост (μi): P 26 x 16,

Да листата
B66347G0000X197
EPCOS (TDK)

B66347G0000X197

Дел Акција: 25724

Тип на јадро: ER, Јаз: N97, Почетна пропустливост (μi): ER 42 x 22 x 15,

Да листата
B64290L0040X037
EPCOS (TDK)

B64290L0040X037

Дел Акција: 6035

Тип на јадро: Toroid, Фактор на индуктивност (Ал): 7.16µH, Толеранција: ±25%, Јаз: T37, Ефективна пропустливост (µe): 60.10mm,

Да листата
B65877A0000R087
EPCOS (TDK)

B65877A0000R087

Дел Акција: 73147

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 4.5µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): PQ 26 x 25,

Да листата
B65517D0160A048
EPCOS (TDK)

B65517D0160A048

Дел Акција: 100328

Тип на јадро: P (Pot Core), Фактор на индуктивност (Ал): 160nH, Толеранција: ±3%, Јаз: N48, Ефективна пропустливост (µe): 9.30mm, Почетна пропустливост (μi): P 9 x 5,

Да листата
B65671T0630A048
EPCOS (TDK)

B65671T0630A048

Дел Акција: 13539

Тип на јадро: P (Pot Core), Фактор на индуктивност (Ал): 630nH, Толеранција: ±3%, Јаз: N48, Ефективна пропустливост (µe): 26.00mm, Почетна пропустливост (μi): P 26 x 16,

Да листата
B65879B0000R097
EPCOS (TDK)

B65879B0000R097

Дел Акција: 19003

Тип на јадро: PQ, Фактор на индуктивност (Ал): 5µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N97, Почетна пропустливост (μi): PQ 32 x 30,

Да листата
B66457G0000X187
EPCOS (TDK)

B66457G0000X187

Дел Акција: 50917

Тип на јадро: ELP, Јаз: N87, Почетна пропустливост (μi): ELP 32 x 6 x 20,

Да листата
B65813J0000R041
EPCOS (TDK)

B65813J0000R041

Дел Акција: 26555

Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 5.5µH, Толеранција: -20%, +30%, Јаз: N41, Почетна пропустливост (μi): RM 10,

Да листата
B65811D0630J048
EPCOS (TDK)

B65811D0630J048

Дел Акција: 73119

Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 630nH, Толеранција: ±5%, Јаз: N48, Почетна пропустливост (μi): RM 8,

Да листата
B65811J0160A041
EPCOS (TDK)

B65811J0160A041

Дел Акција: 39428

Тип на јадро: RM, Фактор на индуктивност (Ал): 160nH, Толеранција: ±3%, Јаз: N41, Почетна пропустливост (μi): RM 8,

Да листата