Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

Дел Акција: 171

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

Дел Акција: 82

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

Дел Акција: 173

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

Дел Акција: 98

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

Дел Акција: 157

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

Дел Акција: 94

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 10A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Да листата
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

Дел Акција: 76

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 310ns,

Да листата
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

Дел Акција: 99

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 310ns,

Да листата
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

Дел Акција: 161

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 310ns,

Да листата
10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

Дел Акција: 131

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.33V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 310ns,

Да листата
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

Дел Акција: 5088

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Да листата
10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

Дел Акција: 145

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Да листата
10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

Дел Акција: 152

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Да листата
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

Дел Акција: 153

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Да листата
10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

Дел Акција: 112

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 145ns,

Да листата
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

Дел Акција: 160

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 18A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

Дел Акција: 71

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 760mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

Дел Акција: 130

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 760mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

Дел Акција: 112

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

Дел Акција: 135

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

Дел Акција: 74

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 510mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

Дел Акција: 104

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

Дел Акција: 95

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

Дел Акција: 137

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 660mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

Дел Акција: 156

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

Дел Акција: 137

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

Дел Акција: 5037

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 180A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 180A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

Дел Акција: 91

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 910mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

Дел Акција: 5020

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 910mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

Дел Акција: 69

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

Дел Акција: 130

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

Дел Акција: 5051

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

Дел Акција: 135

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

Дел Акција: 74

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

Дел Акција: 120

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Тековна - Просечна исправена (Io): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Да листата
1N6631US
Microsemi Corporation

1N6631US

Дел Акција: 4317

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 1.4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 60ns,

Да листата