Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - IGBTs - Modules

APTGLQ40DDA120CT3G
Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

Дел Акција: 1378

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Boost Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 75A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Да листата
APT40GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

Дел Акција: 1989

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Да листата
APT25GLQ120JCU2
Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

Дел Акција: 2465

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 45A, Моќност - Макс: 170W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

Да листата
APTGT150A1202G
Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

Дел Акција: 620

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 220A, Моќност - Макс: 690W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Да листата
APTGT100A602G
Microsemi Corporation

APTGT100A602G

Дел Акција: 595

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 340W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Да листата
APTGT100DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

Дел Акција: 549

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150A, Моќност - Макс: 340W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Да листата
APTGL90SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

Дел Акција: 602

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 385W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Да листата
APTGT100A1202G
Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

Дел Акција: 625

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 140A, Моќност - Макс: 480W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Да листата
APTGL60DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

Дел Акција: 542

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Dual Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 280W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Да листата
APT75GP120J
Microsemi Corporation

APT75GP120J

Дел Акција: 1816

Тип на IGBT: PT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 128A, Моќност - Макс: 543W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Да листата
APTGL90DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

Дел Акција: 541

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 385W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

Да листата
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

Дел Акција: 556

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual Buck Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 70A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Да листата
APTGL60DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

Дел Акција: 534

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 280W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Да листата
APTGF50DH120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

Дел Акција: 607

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 70A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Да листата
APTGF25H120T2G
Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

Дел Акција: 579

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 40A, Моќност - Макс: 208W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Да листата
APTGF100A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

Дел Акција: 542

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 130A, Моќност - Макс: 780W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Да листата
APTGF150A60T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

Дел Акција: 560

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 230A, Моќност - Макс: 833W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Да листата
APTCV60HM70BT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

Дел Акција: 5334

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Boost Chopper, Full Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Да листата
APTCV60HM70RT3G
Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

Дел Акција: 574

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Да листата
APT70GR120J
Microsemi Corporation

APT70GR120J

Дел Акција: 2416

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 112A, Моќност - Макс: 543W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Да листата
APT50GR120JD30
Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

Дел Акција: 2286

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 84A, Моќност - Макс: 417W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

Да листата
APT200GN60J
Microsemi Corporation

APT200GN60J

Дел Акција: 2197

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 283A, Моќност - Макс: 682W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Да листата
APTGF50VDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

Дел Акција: 578

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual Boost Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 70A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Да листата
APTGF50VDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

Дел Акција: 3071

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual Boost Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Да листата
APTGF50H60T2G
Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

Дел Акција: 594

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Full Bridge Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Да листата
APTGF150A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

Дел Акција: 580

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 210A, Моќност - Макс: 1041W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Да листата
APTGF100A1202G
Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

Дел Акција: 540

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 135A, Моќност - Макс: 568W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Да листата
APTGF50DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

Дел Акција: 546

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Dual Boost Chopper, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 70A, Моќност - Макс: 312W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Да листата
APTGF90DH60T3G
Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

Дел Акција: 581

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 110A, Моќност - Макс: 416W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Да листата
APTGF150A120T3WG
Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

Дел Акција: 600

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Half Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 210A, Моќност - Макс: 961W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Да листата
APTGF50DH60T1G
Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

Дел Акција: 546

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Asymmetrical Bridge, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Да листата
APTGF50TL60T3G
Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

Дел Акција: 585

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Three Level Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 65A, Моќност - Макс: 250W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Да листата
APTGF30TL601G
Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

Дел Акција: 3077

Тип на IGBT: NPT, Конфигурација: Three Level Inverter, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 42A, Моќност - Макс: 140W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Да листата
APTCV60TLM99T3G
Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

Дел Акција: 609

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Моќност - Макс: 90W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Да листата
APTCV90TL12T3G
Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

Дел Акција: 524

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Three Level Inverter - IGBT, FET, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 80A, Моќност - Макс: 280W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Да листата
APT150GN120JDQ4
Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

Дел Акција: 1322

Тип на IGBT: Trench Field Stop, Конфигурација: Single, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1200V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 215A, Моќност - Макс: 625W, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Да листата