Transistors - Bipolar (BJT) - Single | Discrete Semiconductor Products | 100

2SD2257,KEHINQ(J

Дел Акција: 6789

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

Дел Акција: 6792

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

Дел Акција: 6778

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

Дел Акција: 6989

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

Дел Акција: 7064

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

Дел Акција: 7008

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

Дел Акција: 7045

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

Дел Акција: 7037

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

Дел Акција: 7039

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

Дел Акција: 7003

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

Дел Акција: 7001

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 375V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

Дел Акција: 6717

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1.5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 160V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

Дел Акција: 7021

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 800V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

Дел Акција: 7019

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 375V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

Дел Акција: 6714

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

Дел Акција: 7015

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 800V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

Дел Акција: 6994

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

Дел Акција: 6971

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

Дел Акција: 6716

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

Дел Акција: 7019

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

Дел Акција: 6724

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

Дел Акција: 6968

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

Дел Акција: 7006

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 400V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 20µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

Дел Акција: 7026

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

Дел Акција: 6967

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

Дел Акција: 6979

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

Дел Акција: 6992

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

Дел Акција: 7059

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

Дел Акција: 6988

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

Дел Акција: 7005

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881,LS1SUMIF(M

Дел Акција: 6962

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(M

Дел Акција: 7032

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881(CANO,F,M)

Дел Акција: 7001

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,NSEIKIF(J

Дел Акција: 7000

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,TOA1F(J

Дел Акција: 7001

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,HFEF(M

Дел Акција: 6995

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Да листата