Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 25

MBR2X060A120

Дел Акција: 3792

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FST10040

Дел Акција: 1576

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURTA30020R

Дел Акција: 933

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FST100150

Дел Акција: 1653

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR60020CT

Дел Акција: 970

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT40030

Дел Акција: 1396

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR30045CT

Дел Акција: 1411

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR20040CT

Дел Акција: 1223

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT50020

Дел Акција: 1075

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A04

Дел Акција: 3090

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 120A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR40020CTR

Дел Акција: 1219

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 125A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MSRT100120(A)D

Дел Акција: 1932

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200

Дел Акција: 1527

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A100

Дел Акција: 3980

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR50060CTR

Дел Акција: 1169

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)D

Дел Акција: 1406

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 800V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 200A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURT30005R

Дел Акција: 1110

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FST10080

Дел Акција: 1594

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR20030CTR

Дел Акција: 1551

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR60030CTR

Дел Акција: 939

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT500200

Дел Акција: 1086

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FST16040

Дел Акција: 1522

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR30060CT

Дел Акција: 1418

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR400200CTR

Дел Акција: 1590

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035R

Дел Акција: 1858

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT400200R

Дел Акција: 3118

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT30045R

Дел Акција: 1299

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR30010CT

Дел Акција: 1376

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT200100

Дел Акција: 1466

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR40030CTR

Дел Акција: 1565

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR12035CTR

Дел Акција: 1550

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR10060CTR

Дел Акција: 1583

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR40030CT

Дел Акција: 1519

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR12040CT

Дел Акција: 1537

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT12080

Дел Акција: 1821

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT20080R

Дел Акција: 1417

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.