Diodes - Rectifiers - Arrays

Дома
Diodes - Rectifiers - Arrays

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

Дел Акција: 1156

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

Дел Акција: 3030

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 920mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

Дел Акција: 1552

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

Дел Акција: 1213

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

Дел Акција: 972

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

Дел Акција: 1324

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 200A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

Дел Акција: 1192

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Reverse Polarity, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

Дел Акција: 3096

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

Дел Акција: 1844

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

Дел Акција: 1342

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

Дел Акција: 1491

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FST160150

Дел Акција: 1636

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FST10020

Дел Акција: 1563

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR300150CTR

Дел Акција: 1446

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

Дел Акција: 1286

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 125A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A12

Дел Акција: 3213

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 100A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A120

Дел Акција: 2552

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 120V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 160A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 160A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURT20040

Дел Акција: 1224

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.35V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

Дел Акција: 1264

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR60080CT

Дел Акција: 795

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTR

Дел Акција: 1429

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR50020CTR

Дел Акција: 1148

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040

Дел Акција: 1070

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

MSRTA300100(A)D

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300100(A)D

Дел Акција: 1265

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 300A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT400150R

Дел Акција: 1842

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CTR

Дел Акција: 1542

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT30030R

Дел Акција: 1557

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT50060

Дел Акција: 1058

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CTR

Дел Акција: 945

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A10

Дел Акција: 2503

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.35V @ 120A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FST12045

Дел Акција: 1584

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 120A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 120A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURTA50040

Дел Акција: 1062

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURT10005R

Дел Акција: 1254

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 50A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT60020

Дел Акција: 938

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 600A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT50030

Дел Акција: 1087

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 500A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT40020R

Дел Акција: 1393

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

894

«
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
»