Diodes - Rectifiers - Arrays

Дома
Diodes - Rectifiers - Arrays

GeneSiC Semiconductor

MBR40020CTRL

Дел Акција: 4183

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF50080R

Дел Акција: 4227

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTRL

Дел Акција: 4179

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA600100

Дел Акција: 4223

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF20030

Дел Акција: 4206

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF50030R

Дел Акција: 4285

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF60060R

Дел Акција: 4248

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 800mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF20080

Дел Акција: 4200

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 100A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT30045L

Дел Акција: 4200

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT30030RL

Дел Акција: 4201

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA50080

Дел Акција: 4280

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF600100R

Дел Акција: 4237

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT60040RL

Дел Акција: 4266

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR30030CTL

Дел Акција: 4187

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT30035L

Дел Акција: 4218

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR40020CTL

Дел Акција: 4235

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF400150

Дел Акција: 4237

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA800150

Дел Акција: 4313

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 400A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 400A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT30030L

Дел Акција: 4193

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTRL

Дел Акција: 4179

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF500100R

Дел Акција: 4282

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

FST6330M

Дел Акција: 4251

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURF30005

Дел Акција: 4252

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 150A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF300150R

Дел Акција: 4233

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 880mV @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTL

Дел Акција: 4181

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA50030R

Дел Акција: 4458

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MURF30040R

Дел Акција: 4475

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 150A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60030RL

Дел Акција: 4291

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60080R

Дел Акција: 4241

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 840mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF50045

Дел Акција: 4255

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 250A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 750mV @ 250A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF60045

Дел Акција: 4456

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 45V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 650mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035

Дел Акција: 4503

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 35V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR60030CTL

Дел Акција: 4179

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRT60020RL

Дел Акција: 4193

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 300A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 300A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBRF12020R

Дел Акција: 4198

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 60A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 60A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTRL

Дел Акција: 4211

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 200A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

894

«
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
»